[发明专利]一种SOI晶圆的激光标记方法

说明书

本发明提供一种SOI晶圆的激光标记方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI晶圆；在其正面依次形成第一介质层及第二介质层；S2：在所述SOI晶圆正面形成激光标记区开口及若干浅沟槽隔离区开口，开口底部均到达所述埋氧层表面；S3：从所述SOI晶圆正面对所述激光标记区开口进行激光照射，激光照射深度到达所述背衬底上部，以在所述背衬底上部形成激光标记；S4：在所述激光标记区开口及所述浅沟槽隔离区开口中填充第三介质层，并进行平坦化去除开口外多余的第三介质层；所述浅沟槽隔离区开口中的第三介质层构成浅沟槽隔离结构，定义有源区。本发明的激光标记与浅沟槽隔离结构同步形成，可以在SOI晶圆正面形成清晰的激光标记，并有效减少晶圆缺陷。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，涉及一种SOI晶圆的激光标记方法。

背景技术

大面积的晶圆在晶圆制造工艺中有很高的价值，为了保持精确的可追溯性，需要将多个晶圆区别开从而防止误操作，激光标记识别号便可以达成这一功能。一般，在对晶圆进行加工以产生期望的芯片或集成电路的过程中，会在晶圆的例如外周区域制造一个激光标志区(laser maker)。该激光标志区用于标记晶圆的一个代号，该代号标记了代码或编码或序列号，该代号一般由数字或字符组成；通过读取该代码就可以识别出所加工的晶圆，例如获知所加工的晶圆的批次批号等信息。常规的激光标记过程是在晶圆缺口(notch)邻近的位置处利用激光作标记。激光标志区中的代码或代号通常形成在硅片的最底层(例如衬底层)，此后即可利用观察工具来通过查看该代码或代号而查找出晶圆的编码或批号信息。

对于普通晶圆来说，激光标记通常直接印制在晶圆正面。对于SOI晶圆，由于其顶层硅较薄，无法直接在其上印制激光标记，若直接从SOI晶圆正面在背衬底上打激光标记，由于激光的加热作用使得埋氧层热膨胀导致顶层硅涨裂或变形，从而导致激光标记不清晰。并且现有的激光标记方法是先对晶圆进行激光标记然后才开始器件制作，由于激光标记过程中会产生硅残屑，即使经过晶片清洗步骤仍然可能导致化学机械研磨之后产生严重的划伤缺陷问题。为了解决上述问题，目前的做法是在SOI晶圆背面印制激光标记来保证对晶圆信息的可追溯性，然而晶圆背面激光标志的查看需要额外的晶圆分类器(sorter)，不利于直接查看晶圆信息。

因此，提供一种SOI晶圆的激光标记方法以将激光标记清晰印制于晶圆正面并减少产生的缺陷实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种SOI晶圆的激光标记方法，用于解决现有技术中无法在SOI晶圆正面形成激光标记、激光标记不清晰及晶圆缺陷多的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种SOI晶圆的激光标记方法，至少包括以下步骤：

S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI晶圆；在所述SOI晶圆正面依次形成第一介质层及第二介质层；

S2：在所述SOI晶圆正面形成激光标记区开口及若干浅沟槽隔离区开口，其中，所述激光标记区开口位于所述SOI晶圆边缘区域；所述激光标记区开口与所述浅沟槽隔离区开口的底部均到达所述埋氧层表面；

S3：从所述SOI晶圆正面对所述激光标记区开口进行激光照射，激光照射深度到达所述背衬底上部，以在所述背衬底上部形成激光标记；

S4：在所述激光标记区开口及所述浅沟槽隔离区开口中填充第三介质层，并进行平坦化去除开口外多余的第三介质层；所述浅沟槽隔离区开口中的第三介质层构成浅沟槽隔离结构，定义有源区。

可选地，所述第一介质层为氧化硅层，所述第二介质层为氮化硅层，所述第三介质层为氧化硅层。

可选地，所述第一介质层的厚度为50～500埃，所述第二介质层的厚度为500～5000埃。

可选地，所述激光标记位于所述SOI晶圆的缺口附近。