[发明专利]一种数据读写方法及装置有效
申请号: | 201410314629.3 | 申请日: | 2014-07-03 |
公开(公告)号: | CN105225676B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 林殷茵;杨凯;赵俊峰;王元钢;杨伟;傅雅蓉 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司;复旦大学 |
主分类号: | G11B5/02 | 分类号: | G11B5/02;G11B5/09 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数据 读写 方法 装置 | ||
1.一种数据读写装置,其特征在于,所述装置是以新型存储介质,以及与所述新型存储介质相连的读写电路相连接的闭合回路,其中:
所述新型存储介质,用于接收驱动电流,所述驱动电流用于驱动所述新型存储介质处于可读写状态;
所述读写电路,用于从所述新型存储介质中读出第一数据,并将所述驱动电流的方向置反,以及将所述第一数据写回至所述新型存储介质。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述读写电路,还用于对读出的所述第一数据进行放大和模数转换,以获得数字信号形式的所述第一数据,并存储所述数字信号形式的第一数据。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述读写电路包括读装置、读装置选通管、转换电路、缓冲器、驱动、写装置以及写装置选通管;
所述读装置与读装置选通管相连,所述读装置选通管与所述转换电路相连;所述转换电路与所述缓冲器相连;所述缓冲器与所述驱动相连,所述驱动与所述写装置选通管相连,所述写装置选通管与所述写装置相连;其中,
所述读装置,用于获取所述新型存储介质的轨道上磁畴的磁化方向;
所述写装置,用于改变所述新型存储介质的轨道上磁畴的磁化方向;
所述转换电路,用于将所述第一数据进行放大;以及将放大后的第一数据进行模数转换,得到数字信号形式的第一数据;
所述缓冲器,用于存储所述数字信号形式的第一数据。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述读装置选通管的栅极与读装置选通管字线相连,所述写装置选通管的栅极与写装置选通管字线相连,其中,
所述读装置,具体用于:若所述写装置选通管字线接低电平,所述读装置选通管字线接高电平,则从所述新型存储介质获取所述第一数据;
所述写装置,具体用于:若所述写装置选通管字线接高电平,所述读装置选通管字线接低电平,则将所述第一数据写回至所述新型存储介质。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述读写电路,还用于从输入输出端口I/O获取所述第一数据;以及将所述第一数据写入所述新型存储介质。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置,其特征在于,
所述新型存储介质为X-bar型磁性轨道存储器、隧道磁电阻TMR磁头磁性轨道存储器,或者L型磁性轨道存储器。
7.一种数据读写方法,其特征在于,包括:
接收驱动电流,所述驱动电流用于驱动新型存储介质处于可读写状态;
从所述新型存储介质中读出第一数据;
将所述驱动电流的方向置反;
将所述第一数据写回至所述新型存储介质。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述将所述第一数据写回至所述新型存储介质,包括:
对所述第一数据进行写入驱动;
将写入驱动后的第一数据发送至所述新型存储介质。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述从所述新型存储介质中读出第一数据之后,还包括:
对读出的所述第一数据进行放大和模数转换,以获得数字信号形式的所述第一数据;
将数字信号形式的所述第一数据寄存在缓冲器中。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述接收驱动电流之后,还包括:
获取所述第一数据;
对所述第一数据进行写入驱动,进而发送至所述新型存储介质。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的方法,其特征在于,所述新型存储介质为X-bar型磁性轨道存储器、隧道磁电阻TMR磁头磁性轨道存储器,或者L型磁性轨道存储器。
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