[发明专利]一种数据读写方法及装置

说明书

本发明的实施例提供一种数据读写方法及装置，涉及通信领域，解决了现有技术中进行读操作后新型存储介质中的数据遭到破坏导致丢失的问题，进而保证了新型存储介质中数据的完整性。该方案包括：接收驱动电流，所述驱动电流用于驱动所述新型存储介质处于可读写状态；从所述新型存储介质中读出第一数据；将所述驱动电流的方向置反；将所述第一数据写回至所述新型存储介质。

技术领域

本发明涉及通信领域，尤其涉及一种数据读写方法及装置。

背景技术

传统硬盘目前仍是主流的储存手段，不过有着耗电量高、不耐震和存在运转嘈杂的缺点。

现有技术中，已开发出一种“赛道”存储器(如图1所示)来取代传统硬盘。这种新型存储介质由硅基上的数十亿个纳米线阵列组成，每条纳米线能容纳数百比特的数据，并通过改变沿纳米线的磁特性，建立一系列的磁塞(磁畴壁)，使得数据编码在赛道存储器中。进一步地，为了从每条纳米线中读写数据，使磁畴壁沿着纳米轨道移动，单个文件就能经过读装置或写装置的磁头位置从而实现数据读写。

如图1所示，当端口10和驱动管35有效使能时，左边轨道1中的数据被电流脉冲驱动，进行读操作，从读装置55一贯而出，然而，在左边轨道的数据在进行读操作后，原有左边轨道的数据被破坏，导致数据丢失。

发明内容

本发明的实施例提供一种数据读写方法及装置，解决了现有技术中进行读操作后新型存储介质中的数据遭到破坏导致丢失的问题，进而保证了新型存储介质中数据的完整性。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本发明的实施例提供一种数据读写装置，所述装置是以新型存储介质，以及与所述新型存储介质相连的读写电路相连接的闭合回路，其中：

所述新型存储介质，用于接收驱动电流，所述驱动电流用于驱动所述新型存储介质处于可读写状态；

所述读写电路，用于从所述新型存储介质中读出第一数据，并将所述驱动电流的方向置反，以及将所述第一数据写回至所述新型存储介质。

在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述读写电路，还用于对读出的所述第一数据进行放大和模数转换，以获得数字信号形式的所述第一数据，并存储所述数字信号形式的第一数据。

结合前述的第一方面及第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述读写电路包括读装置、读装置选通管、转换电路、缓冲器、驱动、写装置以及写装置选通管；

所述读装置与读装置选通管相连，所述读装置选通管与所述转换电路相连；所述转换电路与所述缓冲器相连；所述缓冲器与所述驱动相连，所述驱动与所述写装置选通管相连，所述写装置选通管与所述写装置相连；其中，

所述读装置，用于获取所述新型存储介质的轨道上磁畴的磁化方向；

所述写装置，用于改变所述新型存储介质的轨道上磁畴的磁化方向；

所述转换电路，用于将所述第一数据进行放大；以及将放大后的第一数据进行模数转换，得到数据信号形式的第一数据；

所述缓冲器，用于存储所述数字信号形式的第一数据。

结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述读装置选通管的栅极与读装置选通管字线相连，所述写装置选通管的栅极与写装置选通管字线相连，其中，

所述读装置，具体用于：若所述写装置选通管字线接低电平，所述读装置选通管字线接高电平，则从所述新型存储介质获取所述第一数据；

所述写装置，具体用于：若所述写装置选通管字线接高电平，所述读装置选通管字线接低电平，则将所述第一数据写回至所述新型存储介质。