[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410317578.X | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104282743B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 山下润一;寺岛知秀 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
衬底；
埋入式绝缘膜，其形成于所述衬底之上；
SOI层，其形成于所述埋入式绝缘膜之上；
绝缘膜，其以从所述SOI层的表面到达所述埋入式绝缘膜的方式形成，将所述SOI层划分为第一SOI层和与所述第一SOI层绝缘的第二SOI层；
元件，其形成于所述第一SOI层；以及
电极，其在一端具有位于所述第二SOI层的正上方的焊盘，另一端与所述第一SOI层相连接，
在所述第一SOI层正下方的所述埋入式绝缘膜和所述衬底之间具有空洞区域，
所述第二SOI层正下方的所述埋入式绝缘膜的至少一部分与所述衬底直接接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一SOI层和所述第二SOI层之间的所述绝缘膜形成有多个。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有形成于所述绝缘膜之中的埋入式多晶硅。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，具有：表面绝缘层，其形成于所述焊盘和所述第二SOI层之间；以及埋入式电极，其形成于所述表面绝缘层之中。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，具有：追加绝缘层，其形成于所述第二SOI层上被所述绝缘膜所包围的部分；以及
追加埋入式电极，其形成于所述追加绝缘层之中。
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