[发明专利]一种翅柄铁线蕨快速繁殖的方法有效
申请号: | 201410318402.6 | 申请日: | 2014-07-04 |
公开(公告)号: | CN104082145A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 戴勤;王冬梅;李慧珍 | 申请(专利权)人: | 芜湖欧标农业发展有限公司 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00;A01G1/00;C12N5/04 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铁线蕨 快速 繁殖 方法 | ||
技术领域
本发明涉及植物快速繁殖技术领域,尤其是翅柄铁线蕨快速繁殖技术领域。
背景技术
蕨类植物是介于苔藓植物和种子植物之间的一大类群植物,具有独特的生活史。全世界蕨类植物约有12000多种,我国是世界上蕨类植物资源最丰富的地区之一,约有2000余种。蕨类植物分布很广,从高山到海滨,从寒带到热带都有生长,生态类型也极其多样,主要为土生、石生或附生,少数为水生或沼生。
蕨类植物在经济有着一定的重要性,常常被用作药物、食物、指示植物、工农业的原料。
大多数蕨类植物具有较高的观赏价值,它们虽然没有鲜艳夺目的花与果实,然而它们以千姿百态奇特的叶形、叶姿和青翠碧绿的色彩,使人赏心悦目,在观赏植物中占有重要地位。
翅柄铁线蕨(学名:Adiantum subliferum(Wall.)ex Hook.)是蕨类植物,多年生草本。植株高约30厘米。根状茎短而直立,被棕褐色披针形鳞片。叶簇生;栗黑色,有光泽,叶片披针形,互生,顶生羽片为扇形,外缘具有3-6缺刻,基部楔形。叶脉多回二歧分叉,叶干后厚纸质,淡褐绿色,有光泽,能着地生根,行无性繁殖。孢子囊群每羽片3-7枚;囊群盖椭圆形或肾形,染色体2n=120。生林下潮湿的地方;分布于中国、越南、印度、尼泊尔、印度尼西亚、菲律宾及非洲西部热带地区。
翅柄铁线蕨乌黑发亮的细长叶柄两侧,装点着浅绿色的翡翠膜带,宛若信鸽的双翼,翩然飞致,因此得名。丛生叶翠绿,由二排对开近半月状的羽片组成,羽片粉红色,十分艳丽。长大的叶自然分披,像少女的披肩长发,洋气洒脱,给人以美感,楚楚动人,别开生面。翠绿色的羽片,先端变窄,有时延长为鞭状,落地生根,根茎繁衍形成新植株。枝芳菲的翅柄铁线蕨,向四周平展的绿叶,簇拥着微红色的幼叶,酷似一丛待放的花朵,妩媚动人,供游人大饱眼富,使观者留恋往返。
目前,翅柄铁线蕨多采用孢子繁育来进行生产栽培,这繁育技术提高品种的纯度,保持了品种特性,但成活率较低及繁殖速度较慢,制约了翅柄铁线蕨产业的发展。而组织培养育苗技术既可以保持种的纯度和特性,也可以降低生产成本,提高繁殖速度和成活率。
现有技术中尚无经愈伤组织途径获得翅柄铁线蕨再生植株的报道。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种翅柄铁线蕨快速繁殖的方法,经愈伤组织途径获得翅柄铁线蕨丛生芽,诱导生根,可实现翅柄铁线蕨组培苗的大量快速繁殖。
为了解决上述技术问题,本发明提出下列技术方案:
一种翅柄铁线蕨快速繁殖的方法,其特征在于所述的方法包括以下步骤:
1)外植体的选取:取2cm长的根状茎茎尖,去掉杂质及茎尖周围的绒毛等附属物;
2)外植体消毒:将上述茎尖放入盛有自来水的20-25KHz超声波清洗机中保持温度30-35℃处理30-45min,然后以自来水冲洗10-20min;随后在超净工作台上以70-75%的酒精消毒25-35秒,0.02%升汞溶液中处理5-7分钟,然后以无菌水冲洗4-5遍,置于无菌培养皿备用;
3)初始诱导培养:将灭菌后外植体两端各剪去2-3mm,茎尖按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强1000-2500Lx、光周期5-8h/d,温度25℃±2℃;培养4-6d后将其中未污染的外植体茎尖转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养12-18d至新芽长出;所述的初始诱导培养基组成为:MS+6-BA0.1-0.2mg/L+NAA0.01-0.02mg/L;
4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养15-20d,条件为暗培养,温度20℃±2℃;所述愈伤组织培养基为:MS+6-BA0.5-2.0mg/L+NAA0.02-0.5mg/L+PVP5-10mg/L;
5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养20-25d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期8-10h/d,温度25℃±2℃;所述分化和增殖培养用培养基为:WPM+6-BA0.1-0.5mg/L+NAA0.1-0.5mg/L+PVP5-10mg/L;
6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养15-20d后生根,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期8-10h/d,温度25℃±2℃;所述生根用培养基为:1/2MS+IBA0.1-0.5mg/L+PVP5-10mg/L;
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