[发明专利]一种嵌入式封装及封装方法

权利要求书

1.一种嵌入式封装，其特征在于，包含：

预填塑封料的引线框架；

第一芯片、第二芯片和第三芯片，其设置于预填塑封料的引线框架；

第一引脚、第二引脚和一个金属片连接引脚，围绕所述引线框架分布设置；

引线框架上的塑封材料，填充引线框架镂空结构，使引线框架形成一平面无镂空整体；

金属片，连接第二芯片的一部分和第三芯片的一部分上，其中第二芯片通过金属片电性连接第三芯片；金属片一端电性连接至金属片连接引脚；

第一层压层，其包覆在第一芯片、第二芯片、第三芯片、引线框架、金属片、第一引脚、第二引脚、第三引脚和金属片连接引脚上；

第一层压层设有由第一芯片表面或第一引脚的表面至第一层压层外表面的第一过孔和第二过孔，第一过孔形成在第一芯片需要连接引脚的一区域，第二过孔形成在第一引脚的另一个区域；

第一过孔中电镀填充金属，形成第一导电结构；第二过孔中电镀填充金属，形成第二导电结构；

一连接第一导电结构和第二导电结构的延伸部分；

所述第一芯片通过第一导电结构电性连接至第一引脚、延伸部分和第二导电结构；

所述第二芯片通过电性连接第二引脚；第一芯片电性连接第二芯片。

2.如权利要求1所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第一芯片为逻辑芯片。

3.如权利要求2所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第一芯片通过环氧粘结在引线框架上。

4.如权利要求1所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第二芯片为MOSFET功率芯片。

5.如权利要求4所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第二芯片的底部漏极电性连接引线框架。

6.如权利要求1所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第三芯片为MOSFET功率倒装芯片，并连接引线框架。

7.如权利要求6所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第三芯片底部栅极和源极分别设有焊球，通过焊球电性连接引线框架。

8.如权利要求7所述的嵌入式封装，其特征在于，所述引线框架对应连接第三芯片栅极处设有栅极引脚，第三芯片栅极处的焊球的一部分连接在该栅极引脚。

9.如权利要求1至8中任意一项权利要求所述的嵌入式封装，其特征在于，所述引线框架包含有分离设置的第一载片台和第二载片台，第一芯片与第二芯片设置在第一载片台上；第三芯片设置在第二载片台上。

10.如权利要求1至8中任意一项权利要求所述的嵌入式封装，其特征在于，所述金属片设在所述第二芯片的漏极和第三芯片的源极上，第二芯片的漏极和第三芯片的源极通过金属片电性连接。

11.如权利要求10所述的嵌入式封装，其特征在于，所述金属片为铜片或镍片。

12.如权利要求1所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第一层压层为PP层。

13.如权利要求1或12所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第一层压层、第一导电结构、第二导电结构及其延伸部分上包覆有第二层压层。

14.如权利要求13所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第二层压层为PP层。

15.如权利要求1所述的嵌入式封装，其特征在于，所述过孔连接芯片或引脚表面一端的口径小于过孔连接第一层层压层外表面一端的口径。

16.如权利要求1所述的嵌入式封装，其特征在于，所述第一层压层表面上还铺设有散热金属箔。