[发明专利]一种片上变压器有效
申请号: | 201410319736.5 | 申请日: | 2014-07-07 |
公开(公告)号: | CN104103636A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 任志雄;张科峰;刘览琦;任达明 | 申请(专利权)人: | 武汉芯泰科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01F30/06 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春 |
地址: | 430073 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 变压器 | ||
1.一种片上变压器,包括主线圈、次线圈、主线圈接头以及次线圈接头,其特征在于,主线圈通过n-1条相互间隔的环形分割槽分割为n条并联的主子线圈,次线圈同样通过n-1条相互间隔的相同环形分割槽分割为n条并联的次子线圈,并且第i个主子线圈宽度与第i个次子线圈宽度相同均为wi,主线圈和次线圈的总宽度相同均为W,它们之间满足如下公式:其中n为大于等于2的正整数,s为各个环形分割槽的槽宽,各个主子线圈与其对应的各个次子线圈并联走线。
2.如权利要求1所述的片上变压器,其特征在于,所述主子线圈和次子线圈宽度wi从内到外依次增大。
3.如权利要求1或2任意一项所述的片上变压器,其特征在于,所述环形分割槽的槽宽s的取值范围为0.5μm~2μm。
4.如权利要求1-3任意一项所述的片上变压器,其特征在于,所述片上变压器用于高于0.5GHz的射频工作频段。
5.如权利要求1-4所述的片上变压器,其特征在于,所述片上变压器的主线圈包括单层金属和多层金属两种情况。
6.如权利要求1-5所述的一种片上变压器,其特征在于,所述片上变压器的次线圈包括单层金属和多层金属两种情况。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的