[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，包括：

半导体层，包括第一半导体图案，该第一半导体图案具有第一通道区、第一源极区以及第一漏极区；

绝缘层，位于该半导体层上；

第一导电层，位于该绝缘层上且包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及与该第一源极连接的一数据线；

第二导电层，位于该第一导电层上方且包括一扫描线；

保护层，覆盖该第一导电层、该第二导电层以及该半导体层，该保护层具有第一开口、第二开口以及第三开口，该第一开口暴露出该第一源极以及该第一半导体图案的该第一源极区，该第二开口暴露出该第一漏极以及该第一半导体图案的该第一漏极区，且该第三开口暴露出该第一栅极以及该扫描线；以及

第一电极层，位于该保护层上，其中该第一电极层还填入该第一开口、该第二开口以及该第三开口中，以使得该第一源极与该第一源极区电连接，使得该第一漏极与该第一漏极区电连接，且使得该第一栅极与该扫描线电连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一电极层与该扫描线以及该数据线重叠。

3.如权利要求1所述的像素结构，其中：

该半导体层还包括第二半导体图案，该第二半导体图案包括第二通道区、第二源极区以及第二漏极区；

该第一导电层还包括第二栅极以及第一信号线；

该第二导电层还包括第二信号线；

该保护层具有第四开口以及第五开口，该第四开口暴露出该第二源极区以及该第二信号线，该第五开口暴露出该第二半导体图案的该第二漏极区；以及

该第一电极层还包括第二源极且该第二源极填入该第四开口以与该第二信号线电连接，且该第一电极层还包括第二漏极且该第二漏极填入该第五开口以与该第二漏极区电连接。

4.如权利要求3所述的像素结构，还包括：

发光层，位于该第一电极层上；以及

第二电极层，位于该发光层上，其中该第二电极层与该第一信号线电连接。

5.如权利要求4所述的像素结构，其中：

该半导体层还包括下电极，该下电极与该第一电极层电连接；以及

该第一导电层还包括上电极，该上电极与该第一漏极电连接，其中上电极与该下电极重叠，以构成一电容器。

6.如权利要求1所述的像素结构，其中：

该半导体层还包括下电极；

该第一导电层还包括上电极，其中该上电极与该下电极重叠，以构成一电容器。

7.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一电极层包括：

第一连接结构，位于该保护层上且通过该第一开口以电连接该第一源极以及该第一源极区；

第二连接结构，位于该保护层上且通过该第二开口以电连接该第一漏极以及该第一漏极区；

第三连接结构，位于该保护层上且通过该第三开口以电连接该第一栅极与该扫描线。

8.如权利要求1所述的像素结构，其中该半导体层包括金属氧化物半导体材料。

9.如权利要求1所述的像素结构，还包括一氧化铝层，位于该第一导电层的表面上。

10.一种像素结构，包括：

扫描线以及数据线；

第一主动元件，与该扫描线以及该数据线电连接，该第一主动元件包括：

第一半导体图案，具有第一通道区、第一源极区以及第一漏极区；

绝缘层，位于该第一半导体图案上；

第一栅极、第一源极以及第一漏极，位于该绝缘层上；

保护层，覆盖该第一主动元件，该保护层具有第一开口、第二开口以及第三开口；

第一连接结构，位于该保护层上且通过该第一开口以电连接该第一源极以及该第一源极区；

第二连接结构，位于该保护层上且通过该第二开口以电连接该第一漏极以及该第一漏极区；

第三连接结构，位于该保护层上且通过该第三开口以电连接该第一栅极与该扫描线。

11.如权利要求10所述的像素结构，其中该第一电极与该扫描线以及该数据线重叠。