[发明专利]像素结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构，且特别是涉及一种可维持高开口率并减少光掩模数的像素结构。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)面板是一种自发光的显示装置，其因具有广视角、省电、简易制作工艺、低成本、操作温度广泛、高应答速度以及全彩化等优点，而可望成为下一代平面显示器的主流。一般来说，有机发光二极管面板包括多个像素结构(pixel structure)，且各像素结构包括多个主动元件(例如：薄膜晶体管)或被动元件(例如：电阻、电容)、与主动元件电连接的阴极或阳极以及位于阴极与阳极之间的有机发光层。

像素结构的主动元件可利用氧化铟镓锌(Indium gallium zinc oxide,IGZO)技术制造。IGZO是一种含有铟、镓和锌的金属氧化物，其载流子迁移率(mobility)是非晶硅(a-Si)的10倍以上。因此可以大大提高主动元件对像素电极的充放电速率，实现更快的扫描频率(frame rate)，使动画的播放更加流畅。目前顶栅极(Top Gate)式的像素结构，一般使用七道光掩模，以维持较高的开口率。较高的开口率可提升面板整体发光效率，使得面板更省电。然而，光掩模数过多，使得生产成本增加且相同时间内的生产产量降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种像素结构，可降低光掩模数且同时维持高开口率。

为达上述目的，本发明的像素结构包括半导体层、绝缘层、第一导电层、第二导电层、保护层以及第一电极层。半导体层包括第一半导体图案。第一半导体图案具有第一通道区、第一源极区以及第一漏极区。绝缘层位于半导体层上。第一导电层位于绝缘层上且包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及与第一源极连接的数据线。第二导电层位于第一导电层上方且包括扫描线。保护层覆盖第一导电层、第二导电层以及半导体层。保护层具有第一开口、第二开口以及第三开口。第一开口暴露出第一源极以及第一半导体图案的第一源极区。第二开口暴露出第一漏极以及第一半导体图案的第一漏极区。第三开口暴露出第一栅极以及扫描线。第一电极层位于保护层上。第一电极层更填入第一开口、第二开口以及第三开口中，以使得第一源极与第一源极区电连接，使得第一漏极与第一漏极区电连接，且使得第一栅极与扫描线电连接。

本发明的像素结构包括扫描线、数据线、第一主动元件、保护层、第一连接结构、第二连接结构、第三连接结构以及第一电极。第一主动元件与扫描线以及数据线电连接。第一主动元件包括第一半导体图案、绝缘层、第一栅极、第一源极以及第一漏极。第一半导体图案具有第一通道区、第一源极区以及第一漏极区。绝缘层位于第一半导体图案上。第一栅极、第一源极以及第一漏极位于绝缘层上。保护层覆盖第一主动元件。保护层具有第一开口、第二开口以及第三开口。第一连接结构位于保护层上且通过第一开口以电连接第一源极以及第一源极区。第二连接结构位于保护层上且通过第二开口以电连接第一漏极以及第一漏极区。第三连接结构位于保护层上且通过第三开口以电连接第一栅极与扫描线。

基于上述，本发明的像素结构的保护层的第一开口以及第二开口暴露出第一导电层以及半导体层，且保护层的第三开口暴露出第一导电层以及第二导电层。并且，利用第一电极层桥接半导体层与第一导电层、桥接第一导电层与第二导电层以及桥接半导体层与第二导电层。因此，本发明相较于传统制作工艺可减少一道光掩模。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1E为本发明一实施例的像素结构的分层上视示意图；

图2A至图2E为本发明一实施例的像素结构的剖视图；

图2F为本发明一实施例的有机发光二极管显示面板的像素结构的剖视图；

图3为本发明一实施例的有机发光二极管显示面板的像素结构的等效电路图。

符号说明

100：像素结构

102：基板

110：半导体层

112：第一半导体图案

112s：第一源极区

112c：第一通道区

112d：第一漏极区

114：第二半导体图案

114s：第二源极区

114c：第二通道区

114d：第二源极区

116：下电极

120：绝缘层

130：第一导电层

132：上电极

140：第二导电层