[发明专利]交流式覆晶发光二极管结构

权利要求书

1.一种交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板上相隔设置第一二极管、第二二极管、第三二极管、以及第四二极管；

所述基板上还设置有第一发光二极管芯片，所述第一发光二极管芯片电性连接并至少部分设置于所述第一二极管和所述第二二极管上；以及，

第二发光二极管芯片，所述第二发光二极管芯片与所述第一发光二极管芯片电性耦接，且所述第二发光二极管芯片电性连接并至少部分设置于所述第三二极管和所述第四二极管上；

其中，所述第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管构成整流电路的至少一部分，使所述覆晶发光二极管结构适用于交流电环境。

2.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述基板具有多个相隔设置的凹槽，以嵌设所述第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管。

3.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述覆晶发光二极管结构还包括一接点，所述接点设置于所述基板上，分别与所述第一发光二极管芯片、所述第二发光二极管芯片电性连接。

4.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第二二极管和所述第三二极管之间还有绝缘层设置于所述基板上。

5.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管各自包含P型半导体及N型半导体，且所述第一发光二极管芯片分别耦接于所述第一二极管的N型半导体，以及所述第二二极管的N型半导体。

6.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第三二极管和所述第四二极管各自包含P型半导体及N型半导体，且所述第二发光二极管芯片分别耦接于所述第三二极管的P型半导体，以及第四二极管的P型半导体。

7.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第一发光二极管芯片上还设置第一凸块，所述第一发光二极管芯片通过第一凸块设置于所述第一二极管、所述第二二极管上。

8.如权利要求7所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第一凸块与所述基板之间还设置第一绝缘件，且所述第一绝缘件设置于所述第一二极管和所述第二二极管之间。

9.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第二发光二极管芯片上还设置第四凸块，所述第二发光二极管芯片通过所述第四凸块设置于所述第三二极管、所述第四二极管上。

10.如权利要求9所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第四凸块与所述基板之间还设置第二绝缘件，且所述第二绝缘件设置于所述第三二极管和所述第四二极管之间。

11.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片之间形成一分离空间。

12.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片之间设置一分隔层。

13.如权利要求1所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片分别包括半导体磊晶层。

14.如权利要求13所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述第一发光二极管芯片、所述第二发光二极管芯片还分别包括: 透明基板。

15.如权利要求13所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述半导体磊晶层的表面粗化程度介于0.5nm与10um之间。

16.如权利要求14所述的交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，所述透明基板的表面粗化程度介于0.5nm与10um之间。