[发明专利]交流式覆晶发光二极管结构

说明书

本发明为原申请号200910057038.1号专利申请的分案申请，该原申请的申请日为：2009年4月7日，发明名称为：交流式覆晶发光二极管结构及其制造方法。

技术领域

本发明关于一种交流式发光二极管结构，尤其指一种交流式覆晶发光二极管结构。

背景技术

光电产业的快速发展，光源之一的发光二极管(Light Emitting Diode；LED)由于具有省电的特点，已大量广泛地应用于各种照明或需光源的领域，在光电领域中占有举足轻重的地位，正因如此，世界各国厂商莫不投入大量资源于相关技术的开发，在2005举办的的韩国汉城半导体和美国III-N Technology的产品发表会更说明了交流式发光二极管(AC LED)产品的发展趋势，交流式发光二极管产品已成为全球性厂商的开发趋势。

从交流式发光二极管的技术发展至今，桥式交流式发光二极管结构改善早期交流式发光二极管，解决其无法在交流电正负半周讯号输入时皆可发光(全时发光)的问题，其主要利用惠斯登电桥(Wheatstone Bridge)的设计概念，使交流式发光二极管在交流电正负半周讯号输入时的每一瞬间仅有总数1/2的交流电的发光现象得以改善。

然而，桥式交流式发光二极管结构中的整流组件直接使用交流式发光二极管，导致其具有两个主要缺点，其一，由于单一整流组件(单一颗交流电发光微晶粒)逆向偏压承受力不佳，故所使用的整流组件的数量无法减少，亦即，必需借由多颗交流电发光微晶粒串联于惠斯登电桥的一臂上，才可承受由交流电所施加的逆向偏压，以市电110V来说，由交流电讯号所施加的逆向偏压峰值约为156V(110×√2)，因此，交流电讯号正或负半波所流经路径的交流电发光微晶粒共需约20颗，以平均承担逆偏，避免被逆偏击穿的风险，故，整流组件总数约需要20颗×2=40颗(交流电讯号正及负半波所流经路径之交流式发光二极管)，而被用于发光的交流式发光二极管数量则被压抑至110V/3.1V(每颗交流式发光二极管之致动电压)-20(用以整流之交流式发光二极管数量)=15颗，由此可知，会产生被用于整流的交流式发光二极管的数量远大于被用于发光的交流式发光二极管三数量的情况，且由于整流和发光组件(交流式发光二极管)两者所耗损的能量相同，故会使得输入功率浪费在整流组件的比例居高不下，而产生整体效率不佳的情况；其二，虽相较于早期交流式发光二极管的设计，其发光面积已有增加，但仍有为数不少的整流组件由于逆偏时不会发光而造成整体发光面积的浪费。

再者，请参阅中国台湾专利申请第TWI297200号所申请的一种交流发光体以及交流发光装置，尤指一种利用具有高逆向崩溃电压以及低正向开启电压特性之整流组件进行整流的交流发光体以及交流发光装置，请参阅图1所示，在基板上的整体面积的发光面积并不等于基板面积，由于此专利的设计，造成基板上必须有一固定区域以设置整流电路，故，造成发光面积缩小。

综上所述，交流式发光二极管的主要设计为光源的使用，如何提高其发光效率为一主要课题，而交流式发光二极管的使用在人类家庭式使用较为广泛，故解决上述问题实为一最大的课题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于提供一种交流式覆晶发光二极管结构，该结构使发光二极管基板上的发光面积等于基板面积，提高了发光效率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种交流式覆晶发光二极管结构，包括：

基板，所述基板上相隔设置第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管；

第一发光二极管芯片，电性连接并至少部分设置于所述第一二极管和所述第二二极管上；以及

第二发光二极管芯片，与所述第一发光二极管芯片电性连接，且所述第二发光二极管芯片电性连接并至少部分设置于所述所述第三二极管和所述第四二极管上；

其中，所述第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管构成整流电路的至少一部分，使所述覆晶发光二极管结构适用于交流电环境。

本发明提供的一种交流式覆晶发光二极管结构，在基板上嵌设复数个二极管以作为整流之用，并在该二极管上设置复数个覆晶式发光二极管，使所述基板的面积可被在其上的覆晶式发光二极管完全使用，，使基板上的发光面积等于该基板的面积，以提高发光效率。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是公知技术的AC（交流式）发光二极管的结构示意图；

图2是本发明的一较佳实施例的结构示意图；

图3是本发明的另一较佳实施例的结构示意图；