[发明专利]包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物

权利要求书

1.一种包含金属离子源和至少一种抑制剂的组合物，所述抑制剂可通过使a)与b)反应而获得：

a)含有活性氨官能团的胺化合物，

b)氧化乙烯与至少一种选自C₃和C₄氧化烯的化合物的混合物，

以生成氧化乙烯与至少一种其他C₃和C₄氧化烯的无规共聚物，所述抑制剂具有6000g/mol或更高的分子量M_w，且其中氧化乙烯与其他C₃-C₄氧化烯的共聚物中的氧化乙烯含量为30％至小于35％。

2.如权利要求1的组合物，其中所述抑制剂的分子量M_w为7000-19000g/mol。

3.如权利要求1的组合物，其中所述抑制剂的分子量M_w为9000-18000g/mol。

4.如权利要求1-3中任一项的组合物，其中所述金属离子包括铜离子。

5.如权利要求1-3中任一项的组合物，其中含有活性氨官能团的胺化合物含有至少3个活性氨基。

6.如权利要求4的组合物，其中含有活性氨官能团的胺化合物含有至少3个活性氨基。

7.如权利要求1-3中任一项的组合物，其中所述抑制剂选自式I化合物：

其中

-基团R¹各自独立地选自氧化乙烯与至少一种其他C₃-C₄氧化烯的共聚物，所述共聚物为无规共聚物，

-基团R²各自独立地选自R¹或C₁-C₆烷基，

-X和Y独立地为间隔基，且对于每一重复单元X独立地选自C₁-C₆亚烷基和Z-(O-Z)_m，其中基团Z各自独立地选自C₂-C₆亚烷基，

-n为等于或大于0的整数，

-m为等于或大于1的整数。

8.如权利要求4的组合物，其中所述抑制剂选自式I化合物：

其中

-基团R¹各自独立地选自氧化乙烯与至少一种其他C₃-C₄氧化烯的共聚物，所述共聚物为无规共聚物，

-基团R²各自独立地选自R¹或C₁-C₆烷基，

-X和Y独立地为间隔基，且对于每一重复单元X独立地选自C₁-C₆亚烷基和Z-(O-Z)_m，其中基团Z各自独立地选自C₂-C₆亚烷基，

-n为等于或大于0的整数，

-m为等于或大于1的整数。

9.如权利要求8的组合物，其中基团R²选自甲基。

10.如权利要求7的组合物，其中X和Y彼此独立，且对于每一重复单元X独立地选自C₁-C₄亚烷基。

11.如权利要求8的组合物，其中X和Y彼此独立，且对于每一重复单元X独立地选自C₁-C₄亚烷基。

12.如权利要求1-3中任一项的组合物，其中所述胺化合物选自乙二胺、二亚乙基三胺、3-(2-氨基乙基)氨基丙胺、3,3'-亚氨基二(丙胺)、N,N-双(3-氨基丙基)甲胺、双(3-二甲基氨基丙基)胺、三亚乙基四胺和N,N'-双(3-氨基丙基)乙二胺。

13.如权利要求4的组合物，其中所述胺化合物选自乙二胺、二亚乙基三胺、3-(2-氨基乙基)氨基丙胺、3,3'-亚氨基二(丙胺)、N,N-双(3-氨基丙基)甲胺、双(3-二甲基氨基丙基)胺、三亚乙基四胺和N,N'-双(3-氨基丙基)乙二胺。