[发明专利]PECVD薄膜淀积设备及其热盘无效
| 申请号： | 201410323417.1 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104064458A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 梁建雄;周冰 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;C23C16/513 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐洁晶 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pecvd 薄膜 设备 及其 | ||
1.一种PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，位于工艺腔内，所述热盘(100)上均匀地分布有八个工艺位置(101)，每个所述工艺位置(101)上的晶圆通过铝叉(102)旋转传递到与之相邻的下一工艺位置(101)上；其中，在所述热盘(100)的每个所述工艺位置(101)上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕(103)。
2.根据权利要求1所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，其特征在于，在每个所述工艺位置(101)上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕(103)。
3.根据权利要求2所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，其特征在于，每道所述疏气痕(103)的宽度为1mm，深度为1mm。
4.根据权利要求3所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，其特征在于，所述热盘(100)的材质为铝，所述疏气痕(103)是由钨钢刀具刻划出来的。
5.根据权利要求4所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，其特征在于，所述热盘(100)的表面被打磨至无突起。
6.一种PECVD薄膜淀积设备，包括位于工艺腔内的一热盘(100)，所述热盘(100)上均匀地分布有八个工艺位置(101)，每个所述工艺位置(101)上的晶圆通过铝叉(102)旋转传递到与之相邻的下一工艺位置(101)上；其中，在所述热盘(100)的每个所述工艺位置(101)上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕(103)。
7.根据权利要求6所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，在每个所述工艺位置(101)上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕(103)。
8.根据权利要求7所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，每道所述疏气痕(103)的宽度为1mm，深度为1mm。
9.根据权利要求8所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，所述热盘(100)的材质为铝，所述疏气痕(103)是由钨钢刀具刻划出来的。
10.根据权利要求9所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，所述热盘(100)的表面被打磨至无突起。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
