[发明专利]PECVD薄膜淀积设备及其热盘

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体来说，本发明涉及一种PECVD薄膜淀积设备及其热盘。

背景技术

在薄膜淀积工艺中，若晶圆(wafer)背面已生长有某种薄膜(如TEOS等)，则由于无法在其后续的退火工艺中完全去除薄膜上吸附的气体，或在常温环境下放置，薄膜又重新吸附气体，造成晶圆在放入真空400度的腔体热盘上集中大量的放气，形成气垫效应。这会导致晶圆在热盘表面发生位移(滑片)，严重的情况下会造成废品及碎片，影响了工艺产品的在线合格率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种PECVD薄膜淀积设备及其热盘，使得晶圆放置于设备的热盘表面后能向四周均匀地放气，避免由于气垫效应导致的晶圆滑片。

为解决上述技术问题，本发明提供一种PECVD薄膜淀积设备的热盘，位于工艺腔内，所述热盘上均匀地分布有八个工艺位置，每个所述工艺位置上的晶圆通过铝叉旋转传递到与之相邻的下一工艺位置上；其中，在所述热盘的每个所述工艺位置上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕。

可选地，在每个所述工艺位置上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕。

可选地，每道所述疏气痕的宽度为1mm，深度为1mm。

可选地，所述热盘的材质为铝，所述疏气痕是由钨钢刀具刻划出来的。

可选地，所述热盘的表面被打磨至无突起。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种PECVD薄膜淀积设备，包括位于工艺腔内的一热盘，所述热盘上均匀地分布有八个工艺位置，每个所述工艺位置上的晶圆通过铝叉旋转传递到与之相邻的下一工艺位置上；其中，在所述热盘的每个所述工艺位置上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕。

可选地，在每个所述工艺位置上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕。

可选地，每道所述疏气痕的宽度为1mm，深度为1mm。

可选地，所述热盘的材质为铝，所述疏气痕是由钨钢刀具刻划出来的。

可选地，所述热盘的表面被打磨至无突起。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明通过在热盘表面的工艺位置上刻划出纵横数道疏气痕，使得晶圆放置于热盘表面受热后能向四周均匀地放气，破坏了气垫效应的产生条件，从而避免了由于气垫效应导致的晶圆滑片。

本发明经过长时间的考察，改进后的热盘再未有类似的滑片现象。经多次大保养周期的观察，改进后的热盘对工艺参数、使用寿命均无影响，取得了良好效果。本发明实现过程简单、易实施、成本低廉、不增加工艺成本及占用设备资源。

附图说明

本发明的上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变得更加明显，其中：

图1为本发明一个实施例的PECVD薄膜淀积设备的热盘的整体平面结构示意图；

图2为图1所示实施例的PECVD薄膜淀积设备的热盘上一个工艺位置的放大结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，在以下的描述中阐述了更多的细节以便于充分理解本发明，但是本发明显然能够以多种不同于此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下根据实际应用情况作类似推广、演绎，因此不应以此具体实施例的内容限制本发明的保护范围。

图1为本发明一个实施例的PECVD薄膜淀积设备的热盘的整体平面结构示意图。需要注意的是，这个以及后续其他的附图均仅作为示例，其并非是按照等比例的条件绘制的，并且不应该以此作为对本发明实际要求的保护范围构成限制。如图1所示，该热盘100可以适用于美国诺发系统(Novellus Systems)公司的C-1型淀积设备，位于工艺腔(未示出)内。该热盘100上均匀地分布有八个工艺位置101，每个工艺位置101上的晶圆(未示出)通过铝叉102旋转传递到与之相邻的下一工艺位置101上。其中，在热盘100的每个工艺位置101上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕103。

图2为图1所示实施例的PECVD薄膜淀积设备的热盘上一个工艺位置的放大结构示意图。请结合图1和图2一起来理解，在热盘100的每个工艺位置101上，均匀分布有纵向四道、横向七道(“纵四横七”)疏气痕103，使得晶圆放置于热盘100的表面后能经过疏气痕103向四周均匀地放气，破坏了气垫效应的产生条件而不产生位移。