[发明专利]一种半导体器件终端环的拐角结构、制造工艺及光掩膜板

权利要求书

1.一种半导体器件终端环的拐角结构，其特征在于：以所述终端环的圆心为中心，所述终端环的弧形拐角部位由内向外分为多个弧形条状区域，多个所述弧形条状区域的掺杂浓度由内而外逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的半导体器件终端环的拐角结构，其特征在于：所述弧形条状区域为五个。

3.一种如权利要求1或2所述的半导体器件终端环的拐角结构的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：

(1)准备N型衬底或P型衬底：电阻率为10～200欧姆·厘米；

(2)在N型衬底或P型衬底上生长注入前氧化层；

(3)旋涂光刻胶，并使用光掩膜板进行曝光、显影，所述光掩膜板的结构为：以所述光掩膜板的中点为中心，所述光掩膜板的弧形拐角部位的透光区面积由内而外逐渐减小；

(4)通过P型杂质注入形成P型掺杂或N型杂质注入形成N型掺杂，注入剂量为1e12atom/cm2～1e15atom/cm2；

(5)通过高温氧化推结，炉管温度为850℃～1200℃，持续时间为30分钟～300分钟，生长氧化层，并激活P型杂质或N型杂质，形成终端表面耐压区；

(6)对于NMOS，通过N型杂质注入形成N型衬底源漏区，注入剂量为1e12atom/cm2～5e15atom/cm2；对于PMOS，通过P型杂质注入形成P型衬底源漏区，注入剂量为1e12atom/cm2～5e15atom/cm2；N型衬底或P型衬底也用作为耐压区边缘的场截止环；

(7)淀积TEOS作为层间介质；

(8)溅镀或者蒸发沉积铝，制作金属接触电极，也用作为金属零偏场板及截止环场板，形成完整的终端耐压结构。

4.根据权利要求3所述的半导体器件终端环的拐角结构的制造工艺，其特征在于：所述步骤(3)中的光掩膜板的弧形拐角部位的透光区为叉指状、锯齿状、圆点状、多边形和环形中的一种或几种。

5.一种用于半导体器件终端环制造的光掩膜板，包括弧形拐角部位，其特征在于：以所述光掩膜板的中点为中心，所述弧形拐角部位的透光区面积由内而外逐渐减小。

6.根据权利要求5所述的用于半导体器件终端环制造的光掩膜板，其特征在于：所述弧形拐角部位的透光区为叉指状、锯齿状、圆点状、多边形和环形中的一种或几种。