[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极以及一对源电极和漏电极；以及

半导体层，具有形成在其中的沟道，并且具有分别连接至所述一对源电极和漏电极的一对连接部，

其中，所述一对连接部中的每一个在横穿所述栅电极的相对面中的一个或两个面为非平面，其中，每一个所述连接部形成通孔的壁面，所述通孔穿透所述半导体层的全部厚度、第一绝缘层的全部厚度以及第二绝缘层的厚度的至少部分，所述第一绝缘层设置在所述半导体层与所述一对源电极和漏电极之间，所述第二绝缘层设置在所述半导体层与所述栅电极之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，每一个所述连接部具有凹凸形的截面。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述凹凸形是梳形、圆形、锯齿形、波形以及透镜阵列形之一。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述通孔的所述壁面至少在所述半导体层中为锥形。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层是由低温多晶硅、氧化物半导体材料以及有机半导体材料之一形成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层设置在所述栅电极与所述第一绝缘层之间。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极设置在所述第二绝缘层和基板之间。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述一对连接部的形状彼此不同。

9.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在基板上形成栅电极；

在所述基板和所述栅电极上形成半导体层；

在所述半导体层中形成通孔，并且形成一对连接部，所述一对连接部中的每一个在横穿所述栅电极的相对面中的一面或两面为非平面；以及

在所述半导体层上形成一对源电极和漏电极，所述源电极和漏电极经由所述连接部连接至所述半导体层，

其中，每一个所述连接部形成所述通孔的壁面，所述通孔穿透所述半导体层的全部厚度、第一绝缘层的全部厚度以及第二绝缘层的厚度的至少部分，所述第一绝缘层设置在所述半导体层与所述一对源电极和漏电极之间，所述第二绝缘层设置在所述半导体层与所述栅电极之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述连接部由干法蚀刻形成。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述半导体层设置在所述栅电极与所述第一绝缘层之间。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述栅电极设置在所述第二绝缘层与基板之间。

13.一种设置有显示单元的电子设备，所述显示单元设置有多个显示器件和被配置为驱动所述显示器件的多个薄膜晶体管，每一个所述薄膜晶体管包括：

栅电极以及一对源电极和漏电极；以及

半导体层，具有形成在其中的沟道，并且具有分别连接至所述一对源电极和漏电极的一对连接部，

其中，所述一对连接部中的每一个在横穿所述栅电极的相对面中的一个或两个面为非平面，

其中，每一个所述连接部形成通孔的壁面，所述通孔穿透所述半导体层的全部厚度、第一绝缘层的全部厚度以及第二绝缘层的厚度的至少部分，所述第一绝缘层设置在所述半导体层与所述一对源电极和漏电极之间，所述第二绝缘层设置在所述半导体层与所述栅电极之间。