[发明专利]去除LED芯粒背镀层的方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED(发光二极光)芯片领域，特别地，涉及一种去除LED芯粒背镀层的方法。

背景技术

LED芯片是一种能将电能转化成光能的半导体电子元件。LED芯片是以蓝宝石、硅或碳化硅作为衬底，在其上生长GaN基材料外延层。当电流流过LED芯片时，电子与空穴在LED芯片的外延层结构内发生复合而发单色光。LED照明已广泛应用于日常生活各领域。

为增加LED芯片的亮度，通常采用在LED芯片背面设置DBR(布拉格反射层)或ODR(全角反射镜)层来提高LED芯片的反射率，从而提高亮度。

DBR层是由两种折射率不同的材料以A层-B层-A层的方式交替排列组成的周期性结构，每层材料的光学厚度为其中心反射波长的1/4。目前常用氧化硅和氧化钛相互交替的DBR层结构，也有加入氧化钽的DBR结构。DBR层对垂直入射的光反射效果较好，其反射率可达99％以上。

ODR层设置于DBR层上，通过在DBR层上蒸镀Al、Cr、Au或其它金属形成。

在实际生产和研发过程中，经常会出现因工艺或设备故障导致品质异常或者因实验需求而必须将DBR层和ODR层去掉的情况。例如生产时误将无需背镀的芯片做了背镀，发现问题时芯片已切割成了芯粒，无法按常规方法返工。在研发过程中，有时需要将同规格芯粒做有背镀和无背镀两种对比封装，以确认背镀效果。目前，尚未见到有关芯粒上DBR或ODR的去除方法，一旦出现这种故障就只能将产品做降价处理，从而给企业带来经济损失。

发明内容

本发明目的在于提供一种去除LED芯粒背镀层的方法，以解决现有技术中无法有效去除LED芯粒背镀层的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种去除LED芯粒背镀层的方法，LED芯粒的背面设置背镀层，包括以下步骤：1)贴膜：将LED芯粒的背面粘附于可撕除膜上，得到粘附芯粒；2)涂蜡：将粘附芯粒中LED芯粒的正面和侧壁涂抹蜡液，并将粘附芯粒中LED芯粒的正面固接于固定板上，之后将可撕除膜去除，得到涂蜡芯粒；3)去背镀层：将涂蜡芯粒浸入去层液中浸泡，得到去层芯粒；4)脱蜡：将去层芯粒置于脱蜡液中去除LED芯粒正面和侧壁的蜡和固定板，得到脱蜡LED芯粒；背镀层包括DBR层，DBR层浸泡于去层液中1～5分钟后去除。

进一步地，背镀层由依次为生长叠置于LED芯粒背面上的DBR层或ODR层组成，当背镀层为ODR层时去层液包括腐蚀液和蚀刻液，步骤3)中包括：a)去除金属层：将涂蜡芯粒浸入腐蚀液中浸泡，将涂蜡芯粒背面的ODR层去除，得到第一去层芯粒；b)去除无机材料层：将第一去层芯粒浸入蚀刻液中浸泡，将DBR层去除，得到去层芯粒。

进一步地，将第一去层芯粒浸入蚀刻液中浸泡2～3分钟。

进一步地，第一去层芯粒经清洗后再进入b)步骤中。

进一步地，蚀刻液为BOE溶液。

进一步地，步骤1)中，同时将多个LED芯粒的背面粘附于同一可撕除膜上。

进一步地，步骤2)中，去除可撕除膜的步骤前还包括：升高固定板的温度，并在固定板表面上设置液态蜡层，将粘附芯粒的正面粘附于固定板上的液体蜡层上，降低固定板的温度，使液态蜡层凝固。

进一步地，还包括对脱蜡LED芯粒进行清洗和烘干的步骤.

进一步地，烘干步骤中烘干温度为50～70℃.

进一步地，清洗步骤中采用异丙醇清洗5-15分钟。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的去除LED芯粒背镀层的方法采用蚀刻液对芯粒表面的背镀层进行去除，通过协调背镀层中各组分的被蚀刻速度和去背镀时间，使得去除背镀层后，LED芯粒除亮度外的各项性能不受任何影响。能保证去除背镀层后的LED芯粒能直接返回正常工序进行后续生产，同时保证用于实验研究的LED芯片的发光亮度具有可比性。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是本发明优选实施例的流程示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

参见图1，本发明提供的去除LED芯粒背镀层的方法包括以下步骤：

1)贴膜：将多个LED芯粒的背面粘附于可撕除膜上，得到粘附芯粒；