[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底，

在所述半导体衬底上依次形成有第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、牺牲层和第三硬掩膜层；

依次刻蚀所述第三硬掩膜层、所述牺牲层、所述第二硬掩膜层、所述第一硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充隔离材料层，通过平坦化工艺使得所述隔离材料层的表面与所述牺牲层的表面齐平；

回刻蚀去除所述牺牲层，以使所述隔离材料层的顶部回刻蚀为椭圆形或者子弹头形；

去除所述第二硬掩膜层，以使所述隔离材料层的中部和底部垂直；

去除所述第一硬掩膜层以露出所述半导体衬底；

在露出的所述半导体衬底上形成隧穿氧化物层；

在所述半导体衬底上形成浮栅材料层，所述浮栅材料层覆盖所述隔离材料层和所述隧穿氧化物层；

执行平坦化工艺，以形成碗状结构的浮置栅极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层的材料为氧化物，所述第二硬掩膜层的材料为氮化物，所述第二硬掩膜层的厚度为200埃至1000埃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为多晶硅，所述第三硬掩膜层的材料为氧化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮置栅极的厚度为200埃至1000埃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在去除所述第二硬掩膜层之后执行注入工艺的步骤。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在执行平坦化工艺，以形成浮置栅极之前执行注入工艺的步骤。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述浮置栅极顶部的关键尺寸大于有源区顶部的关键尺寸。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀形成所述浅沟槽之后所述第二硬掩膜层、所述牺牲层和所述第三硬掩膜层的侧墙倾斜角度为84°至88°。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层的厚度等于所述浮置栅极的厚度。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述浮栅材料层之前所述隔离材料层的形状为上部分为椭圆弧形，下半部分为垂直。

11.一种采用如权利要求1-10中的任一方法制造的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括碗状结构浮置栅极。

12.如权利要求11所述的器件，其特征在于，所述浮置栅极顶部的关键尺寸大于有源区顶部的关键尺寸。

13.如权利要求11所述的器件，其特征在于，所述浮置栅极的厚度为200埃至1000埃。

14.如权利要求11所述的器件，其特征在于，所述浮置栅极延伸至有源区。

15.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求11-14任意一项所述的半导体器件。