[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410326526.9 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN104078463B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 江间泰示;藤田和司;王纯志 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/10;H01L21/8238;H01L21/761 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,苏捷 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底，包括第一区域和第二区域；
第一杂质层，形成在所述第一区域的所述半导体衬底中并且包含第一导电类型的第一杂质；
第二杂质层，形成在所述第二区域的所述半导体衬底中并且包含第一导电类型的第二杂质或包含所述第一杂质和第三杂质，所述第二杂质的扩散常数小于所述第一杂质的扩散常数，所述第三杂质抑制所述第一杂质的扩散；
第一半导体层，形成在所述第一杂质层上；
第二半导体层，形成在所述第二杂质层上；
第一栅极绝缘膜，形成在所述第一半导体层上；
第二栅极绝缘膜，比所述第一栅极绝缘膜薄，形成在所述第二半导体层上；
第一栅电极，形成在所述第一栅极绝缘膜上；
第二栅电极，形成在所述第二栅极绝缘膜上；
第一源极区/漏极区，形成在所述第一半导体层中；以及
第二源极区/漏极区，形成在所述第二半导体层中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
第一器件隔离绝缘膜，形成在所述半导体衬底中并且围绕所述第一区域；以及
第二器件隔离绝缘膜，形成在所述半导体衬底中并且围绕所述第二区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一半导体层中的第一杂质的浓度比所述第一杂质层中的第一杂质的浓度低；以及
所述第二半导体层中的第二杂质的浓度比所述第二杂质层中的第二杂质的浓度低。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一半导体层中的第一杂质的浓度比所述第一杂质层中的第一杂质的浓度低；以及
所述第二半导体层中的第一杂质的浓度比所述第二杂质层中的第一杂质的浓度低。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一杂质为硼；以及
所述第三杂质为碳。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一杂质为磷；以及
所述第二杂质为砷或者锑。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第二杂质层包含锗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
