[发明专利]驱动装置的集成电路及其制作方法

权利要求书

1.一种驱动装置的集成电路，用于一驱动装置，该集成电路包括：

一基底，包括一高压区域及一低压区域；

多个第一沟槽，形成于所述高压区域；

多个第一隔离层，形成于所述高压区域的所述多个第一沟槽中；

多个第二沟槽，形成于所述低压区域；以及

多个第二隔离层，形成于所述低压区域的所述多个第二沟槽中；

其中，每一第一沟槽与每一第二沟槽间具有一深度差。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于：所述多个第一隔离层及所述多个第二隔离层为浅沟渠隔离层。

3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于：所述深度差介于500埃～8000埃。

4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于：每一第一隔离层与每一第二隔离层间具有一高度差。

5.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于：所述高度差介于150埃～450埃。

6.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于：所述高压区域包括多个工作于一高电压范围的电路元件且所述低压区域包括多个工作于一低电压范围的电路元件，其中所述高电压范围的最大电压介于13.5伏特至27伏特之间，且所述低电压范围的最大电压介于1.2伏特至3.3伏特之间。

7.一种制作一驱动装置中一集成电路的方法，包括：

在一基底上由下而上依序形成一遮蔽层及一第一光阻层；

利用一第一光罩，使所述第一光阻层形成一开口图样；

执行一第一蚀刻程序，以蚀刻所述遮蔽层；

去除所述第一光阻层；

执行一第二蚀刻程序，以在所述基底的一高压区域形成多个第一沟槽以及在所述基底的一低压区域形成多个第二沟槽；

在所述基底上形成一第二光阻层；

利用一第二光罩，去除覆盖于所述高压区域的所述第二光阻层；

执行一第三蚀刻程序，以蚀刻所述多个第一沟槽；

去除所述第二光阻层；

在所述基底上，填补一绝缘材料，以形成一绝缘层；

执行一研磨程序，以使所述绝缘层与所述遮蔽层的高度相同；

执行一第四蚀刻程序，以在所述高压区域的所述多个第一沟槽中形成多个第一隔离层及在所述低压区域的所述多个第二沟槽中形成多个第二隔离层；以及

执行一第五蚀刻程序，以去除所述遮蔽层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述多个第一隔离层及所述多个第二隔离层为浅沟槽渠隔离层。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于：每一第一沟槽与每一第二沟槽的深度差介于500埃～8000埃。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述遮蔽层为一氮化硅层。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述绝缘材料为一高密度电浆氧化物。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于：执行所述第四蚀刻程序，以在所述高压区域的所述多个第一沟槽中形成所述多个第一隔离层及在所述低压区域的所述多个第二沟槽中形成所述多个第二隔离层的步骤包括：

在所述基底上形成一第三光阻层；

利用一第三光罩，去除覆盖于所述低压区域的所述第三光阻层；

执行一第六蚀刻程序，以蚀刻覆盖于所述低压区域的所述绝缘层；

去除所述第三光阻层；以及

执行一第七蚀刻程序，以在所述高压区域的所述多个第一沟槽中形成所述多个第一隔离层及在所述低压区域的所述多个第二沟槽中形成所述多个第二隔离层。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于：每一第一隔离层与每一第二隔离层间的高度差介于150埃～450埃。

14.如权利要求7所述的方法，其特征在于：还包括：

在所述高压区域形成多个工作于一高压范围的电路元件；以及

在所述低压区域形成多个工作于一低压范围的电路元件；

其中所述高电压范围的最大电压介于13.5伏特至27伏特之间，且所述低电压范围的最大电压介于1.2伏特至3.3伏特之间。