[发明专利]驱动装置的集成电路及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路及其制作方法，尤其涉及指一种用于驱动装置的集成电路及其制作方法。

背景技术

集成电路(IntegratedCircuit，IC)，又被称为是「信息产业之母」，是信息产品最基本、也是最重要的元件。集成电路是将晶体管、二极管、电阻器及电容器等电路元件，聚集在硅芯片上，形成完整的逻辑电路，以达成控制、计算或记忆等功能，为人们处理各种事务。

依据不同应用，集成电路中可能包括应用于不同电压范围(如一高电压范围及一低电压范围)的电路元件。随着制程技术的演进，制程中高电压范围的最大电压值呈现持续上升的趋势而低电压范围的最大电压值则呈现持续下降的趋势。然而，当高电压范围的最大电压值上升及╱或低电压范围的最大电压值下降时，由于阻绝电子元件间电子传递的效果受到电压范围改变影响，造成电路元件的最小尺寸及制程设计限制却无法随着制程技术的演进下降。因此，如何在增强阻绝电子元件间电子传递的效果便成为业界亟欲探讨的议题。

发明内容

为了解决上述的问题，本发明提供一种具有不同深度的隔离层的集成电路及其制造方法。

本发明公开一种用于一驱动装置的集成电路，所述集成电路包括一基底，包括一高压区域，包括多个第一沟槽及形成于所述多个第一沟槽的多个第一隔离层；以及一低压区域，包括多个第二沟槽及形成于所述多个第二沟槽的多个第二隔离层；其中，每一第一沟槽与每一第二沟槽间具有一深度差。

本发明还公开一种制作一驱动装置中一集成电路的方法，包括在一基底上由下而上依序形成一遮蔽层及一第一光阻(photoresistor)层；利用一第一光罩，使所述第一光阻层形成一开口图样(openingpattern)；执行一第一蚀刻程序，以蚀刻所述遮蔽层；去除所述第一光阻层；执行一第二蚀刻程序，以在所述基底的一高压区域形成多个第一沟槽以及在所述基底的一低压区域形成多个第二沟槽；在所述基底上形成一第二光阻层；利用一第二光罩，去除覆盖于所述高压区域的所述第二光阻层；执行一第三蚀刻程序，以蚀刻所述多个第一沟槽；去除所述第二光阻层；在所述基底上，填补一绝缘材料，以形成一绝缘层；研磨所述绝缘层，以使所述绝缘层与所述遮蔽层的高度相同；执行一第四蚀刻程序，以在所述高压区域的所述多个第一沟槽中形成多个第一隔离层及在所述低压区域的所述多个第二沟槽中形成多个第二隔离层；以及执行一第五蚀刻程序，以去除所述遮蔽层。

附图说明

图1为本发明实施例中一集成电路的剖面图。

图2A～2I为制造图1所示的集成电路的过程中集成电路的剖面图。

图3为本发明实施例另一集成电路的示意图。

图4A～4L为制造图3所示的集成电路的过程中集成电路的剖面图。

图5为本发明实施例中一流程的流程图。

图6为本发明实施例中另一流程的流程图。

其中，附图标记说明如下：

10、30集成电路

100、300基底

102、104、302、304区域

106、306第一沟槽

108、308第一隔离层

110、310第二沟槽

112、312第二隔离层

200遮蔽层

202绝缘层

50、60流程

500～528、600～636步骤

HDP_OX绝缘层202

HV高电压范围

LV低电压范围

MASK1、MASK2、MASK3光罩

PR1、PR2、PR3光阻层

具体实施方式