[发明专利]磁性存储轨道和磁性存储器

权利要求书

1.一种磁性存储轨道，其特征在于，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，其中，所述存储轨道单元包括由磁性材料构成的用于存储数据的数据区域，每个过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，每个过渡层中包括：

选通电路，所述选通电路的一端与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，所述选通电路的另一端连接驱动电源，用于向层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元传输驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述存储轨道单元中的磁畴移动；

读写装置，与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，用于在所述选通电路传输的驱动脉冲的作用下，对层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元中的磁畴进行读操作或写操作。

2.根据权利要求1所述的磁性存储轨道，其特征在于，所述选通电路包括金属氧化物半导体MOS管，其中：

所述MOS管的第一端用于输入控制信号，所述控制信号用于控制所述MOS管处于导通状态或断开状态；

所述MOS管的第二端连接层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元；

所述MOS管的第三端连接驱动电源，用于在所述MOS管处于导通状态时，向层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元传输所述驱动信号。

3.根据权利要求2所述的磁性存储轨道，其特征在于，所述磁性存储轨道包括至少两个过渡层，所述至少两个过渡层中位于同一列的MOS管的第三端共同连接所述驱动电源。

4.根据权利要求2所述的磁性存储轨道，其特征在于：所述存储轨道单元包括U型存储轨道，所述选通电路以及所述读写装置设置于所述U型存储轨道的底部。

5.根据权利要求4所述的磁性存储轨道，其特征在于：所述选通电路包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分别设置于所述读写装置的两侧,其中，所述第一MOS管用于向所述U型存储轨道的第一侧轨道传输驱动信号，所述第二MOS管用于向所述U型存储轨道的第二侧轨道传输驱动信号。

6.根据权利要求2所述的磁性存储轨道，其特征在于：所述MOS管包括薄膜场效应晶体管TFT。

7.根据权利要求1-6任一项所述的磁性存储轨道，其特征在于：所述在绝缘材料上淀积的半导体材料包括多晶硅或多晶硅化合物。

8.一种磁性存储器，其特征在于，所述磁性存储器包括至少两个如权利要求1-7任意一项所述的磁性存储轨道。

9.根据权利要求8所述的磁性存储器，其特征在于，所述磁性存储轨道包括U型磁性存储轨道，其中同一行的U型磁性存储轨道的第一侧轨道共用同一个控制信号，同一行的U型磁性存储轨道的第二侧轨道共用同一个控制信号，同一列的U型磁性存储轨道的第一侧轨道连接同一个驱动电源，同一列的U型磁性存储轨道的第二侧轨道连接同一个驱动电源。