[发明专利]磁性存储轨道和磁性存储器

说明书

本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种磁性存储轨道和磁性存储器。

背景技术

磁性存储器是一种利用磁性存储轨道中磁畴的磁化方向进行信息存储的存储器件。其中，磁畴是指构成磁性存储轨道的磁性材料在自发磁化的过程中为降低静磁能而产生分化的方向各异的小型磁化区域，这些小型磁化区域内部包含大量原子，这些原子的原子磁矩都像许多个小磁铁般整齐排列，原子磁矩排列的方向与其内部电子的自旋方向相关联，原子磁矩是其内部所有电子集合的轨道磁矩、自旋磁矩和核磁矩的矢量和。由于相邻的磁畴之间原子磁矩排列的方向不同，因此，各磁畴之间的交界会形成磁畴壁。磁性存储器具体是通过施加到磁性存储轨道上的电流或磁场推移磁畴壁所在的位置，以此将原子磁矩排列的方向推移到待写入的磁畴中，从而利用磁畴互成一定角度的两个磁化方向分别代表0和1，实现信息存储。

由于磁性存储器的存储能力与磁性存储轨道的轨道长度直接相关，轨道长度越长，存储能力就越强。但是，在磁性存储轨道制备过程中，轨道长度越长，磁性存储轨道的制造工艺难度越大。

发明内容

本发明实施例提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，用于解决在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致制造工艺难度增大的技术问题。

本发明实施例的第一个方面是提供一种磁性存储轨道，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，其中，所述存储轨道单元包括由磁性材料构成的用于存储数据的数据区域，每个过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，每个过渡层中包括：选通电路，所述选通电路的一端与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，所述选通电路的另一端连接驱动电源，用于向层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元传输驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述存储轨道单元中的磁畴移动；读写装置，与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，用于在所述选通电路传输的驱动脉冲的作用下，对层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元中的磁畴进行读操作或写操作。

本发明实施例的第二个方面是提供一种磁性存储器，所述磁性存储器包括至少两个如上所述的磁性存储轨道。

本发明实施例提供的磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且每个过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，每个过渡层中包括选通电路和读写装置，其中，选通电路用于向层叠于该过渡层之上的存储轨道单元传输驱动信号，读写装置用于在选通电路传输的驱动脉冲的作用下，对层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元中的磁畴进行读操作或写操作。本发明实施例提供的磁性存储轨道由于包括多个堆叠的存储轨道单元，磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致制造工艺难度增大的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种磁性存储轨道的结构示意图；