[发明专利]具有存储电容的TFT基板的制作方法及该TFT基板

权利要求书

1.一种具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积并图案化第一金属层，形成栅极(21)的同时形成第一金属电极(23)；

步骤2、在所述栅极(21)、第一金属电极(23)与基板(1)上沉积并图案化栅极绝缘层(3)，形成栅极绝缘层过孔(31)；

步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上沉积并图案化氧化物半导体层(4)；

步骤4、对覆盖于所述第一金属电极(23)上方的栅极绝缘层(3)上的氧化物半导体层(4)进行N型重掺杂，形成第一导体电极(5)；所述第一金属电极(23)、第一导体电极(5)与夹在二者之间的栅极绝缘层(3)构成第一存储电容C1；

步骤5、在所述第一导体电极(5)、氧化物半导体层(4)与栅极绝缘层(3)上沉积并图案化蚀刻阻挡层(6)，形成与所述栅极绝缘层过孔(31)连通的第一蚀刻阻挡层过孔(61)；

步骤6、在所述蚀刻阻挡层(6)上沉积并图案化第二金属层，形成源/漏极(71)的同时形成第二金属电极(73)；所述第一导体电极(5)、第二金属电极(73)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(6)构成第二存储电容C2；且所述第二金属电极(73)填充第一蚀刻阻挡层过孔(61)及栅极绝缘层过孔(31)，并与第一金属电极(23)连接，从而将第二存储电容C2并联于第一存储电容C1；

步骤7、在所述源/漏极(71)、第二金属电极(73)、与蚀刻阻挡层(6)上沉积并图案化保护层(8)，形成保护层过孔(81)及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔(63)；

步骤8、在所述保护层(8)上沉积并图案化像素电极层，形成像素电极(91)的同时形成第二导体电极(93)；所述第二金属电极(73)、第二导体电极(93)与夹在二者之间的保护层(8)构成第三存储电容C3；且所述第二导体电极(93)填充所述保护层过孔(81)及第二蚀刻阻挡层过孔(63)，并与第一导体电极(5)连接，从而将第三存储电容C3并联于第二存储电容C2。

2.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层(4)为IGZO氧化物半导体层，所述第一导体电极(5)为N+IGZO导体电极。

3.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二导体电极(93)为ITO导体电极或IZO导体电极，所述像素电极(91)为ITO像素电极或IZO像素电极。

4.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层、氧化物半导体层(4)、第二金属层、像素电极层采用物理气相沉积法沉积；所述栅极绝缘层(3)、蚀刻阻挡层(6)，保护层(8)采用化学气相沉积法沉积。

5.如权利要求4所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(3)采用等离子体增强化学气相沉积法沉积。

6.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述第一金属层，形成栅极(21)的同时形成第一金属电极(23)；所述步骤2采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化所述栅极绝缘层(3)，形成栅极绝缘层过孔(31)；所述步骤3采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述氧化物半导体层(4)；所述步骤5采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化所述蚀刻阻挡层(6)，形成第一蚀刻阻挡层过孔(61)；所述步骤6采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述第二金属层，形成源/漏极(71)的同时形成第二金属电极(73)；所述步骤7采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化所述保护层(8)，形成保护层过孔(81)及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔(63)；所述步骤9采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述像素电极层，形成像素电极(91)的同时形成第二导体电极(93)。

7.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4采用黄光、氢气等离子体处理与剥离工艺对覆盖于所述第一金属电极(23)上方的栅极绝缘层(3)上的氧化物半导体层(4)进行N型重掺杂，形成第一导体电极(5)。