[发明专利]具有存储电容的TFT基板的制作方法及该TFT基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种具有存储电容的TFT基板的制作方法及该TFT基板。

背景技术

平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。

有机发光二极管显示器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。

在OLED面板生产中，氧化物半导体由于具有较高的电子迁移率，而且相比低温多晶硅(LTPS)，氧化物半导体制程简单，与非晶硅制程相容性较高，且与高世代生产线兼容而得到了广泛的应用。

OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PM-OLED)和有源OLED(AM-OLED)。

现有的AM-OLED器件一般为两个电晶体之间夹着一个存储电容，其等效电路图如图1所示，在薄膜晶体管T1与薄膜晶体管T2之间夹着一个存储电容C_st。薄膜晶体管T1、T2均为场效应晶体管。薄膜晶体管T1为信号切换晶体管，其用于数据信号的传送和切断；薄膜晶体管T2为驱动晶体管，其与有机发光二级管D连接；存储电容C_st通常由栅极金属、源/漏极金属及二者之间的绝缘层或源/漏极金属、像素电极及二者之间的绝缘层构成。具体的，信号切换晶体管T1的栅极接收扫描信号V_gate，源极接收数据信号V_data，漏极与驱动晶体管T2的栅极连接；驱动晶体管T2的源极接电源V_dd，漏极接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴极接地V_ss；存储电容C_st连接在信号切换晶体管T1的漏极与驱动晶体管T2的源极之间。

该电路的工作原理是，当扫描信号V_gate到来时，信号切换晶体管T1导通，数据信号V_data输入驱动晶体管T2的栅极，经该驱动晶体管T2放大后驱动有机发光二极管D进行显示。当扫描信号结束后，存储电容C_st是维持像素电极电位的主要手段，统一增大存储电容可以有效的改善画面的均一性，提升显示质量。增大存储电容C_st的方法通常包括增大电极板的面积或减小两电极板之间的间距两种方法。但增大C_st的面积会引起开口区的面积减少，造成开口率下降，显示亮度降低；而单纯减小两电极板之间的间距则有可能发生击穿的问题，存在损坏AM-OLED的风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有存储电容的TFT基板的制作方法，能够增大存储电容，改善电路性能，且存储电容占用的面积较小，从而使得开口区的面积增大，开口率提高，提升显示效果。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板，其存储电容较大，占用面积较小，有利于提高开口率，提升显示效果。

为实现上述目的，本发明首先提供一种具有存储电容的TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，在该基板上沉积并图案化第一金属层，形成栅极的同时形成第一金属电极；

步骤2、在所述栅极、第一金属电极与基板上沉积并图案化栅极绝缘层，形成栅极绝缘层过孔；

步骤3、在所述栅极绝缘层上沉积并图案化氧化物半导体层；

步骤4、对覆盖于所述第一金属电极上方的栅极绝缘层上的氧化物半导体层进行N型重掺杂，形成第一导体电极；所述第一金属电极、第一导体电极与夹在二者之间的栅极绝缘层构成第一存储电容C1；

步骤5、在所述第一导体电极、氧化物半导体层与栅极绝缘层上沉积并图案化蚀刻阻挡层，形成与所述栅极绝缘层过孔连通的第一蚀刻阻挡层过孔；

步骤6、在所述蚀刻阻挡层上沉积并图案化第二金属层，形成源/漏极的同时形成第二金属电极；所述第一导体电极、第二金属电极与夹在二者之间的蚀刻阻挡层构成第二存储电容C2；且所述第二金属电极填充第一蚀刻阻挡层过孔及栅极绝缘层过孔，并与第一金属电极连接，从而将第二存储电容C2并联于第一存储电容C1；

步骤7、在所述源/漏极、第二金属电极、与蚀刻阻挡层上沉积并图案化保护层，形成保护层过孔及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔；