[发明专利]具有混合储存模式的固态储存装置有效

专利信息
申请号: 201410331434.X 申请日: 2014-07-11
公开(公告)号: CN105320463B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 廖崟权;潘鸿文 申请(专利权)人: 宇瞻科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/08
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 王玉双;常大军
地址: 中国台湾新北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 储存 磁区 逻辑区块地址 实体区块地址 快闪记忆体 固态储存 数据处理模块 储存数据 电位储存 数据处理模式 储存容量 高稳定性 信息连接 指令动作 高数据 解读 指令
【权利要求书】:

1.一种具有混合储存模式的固态储存装置,其特征在于,包括有:一快闪记忆体,包含有一以一第一电位储存模式储存数据的第一储存磁区以及一以相异于该第一电位储存模式的一第二电位储存模式储存数据的第二储存磁区,该第一储存磁区包含有M个数据区块,该第二储存磁区包含有N个数据区块,每一该数据区块分别对应一实体区块地址以及一逻辑区块地址,该第一储存磁区的实体区块地址为P0至PM-1,而该逻辑区块地址为L0至LM-1,该第二储存磁区的实体区块地址为PM至PM+N-1,而该逻辑区块地址为LM至LM+N-1,其中M、N为正整数;以及

一数据处理模块,与该快闪记忆体信息连接,具有一接受一指令并解读该指令所包含的该逻辑区块地址而于对应的该实体区块地址执行指令动作的数据处理模式;

其中该第一电位储存模式为单级单元式,而该第二电位储存模式为多级单元式,该数据处理模块具有一判断该指令所包含的该逻辑区块地址为L0至LM-1时对该指令加入一电位调变指令改变该指令原有电位储存方式的数据调变模式。

2.如权利要求1所述的具有混合储存模式的固态储存装置,其特征在于,该第一储存磁区的数据储存容量相异于该第二储存磁区的数据储存容量。

3.如权利要求1或2所述的具有混合储存模式的固态储存装置,其特征在于,该数据处理模块包含有一记录该第一储存磁区所对应的实体区块地址为P0至PM-1以及逻辑区块地址L0至LM-1的第一映对表,以及一记录该第二储存磁区所对应的实体区块地址为PM至PM+N-1以及逻辑区块地址LM至LM+N-1的第二映对表。

4.如权利要求1所述的具有混合储存模式的固态储存装置,其特征在于,该快闪记忆体更包含有一以相异于该第一电位储存模式及该第二电位储存模式的第三电位储存模式储存数据的第三储存磁区,该第三储存磁区包含有R个数据区块,该第三储存磁区的实体区块地址为PN至PN+R-1,而该逻辑区块地址为LN至LN+R-1,其中R为正整数。

5.如权利要求4所述的具有混合储存模式的固态储存装置,其特征在于,该数据处理模块包含有一记录该第一储存磁区所对应的实体区块地址为P0至PM-1以及逻辑区块地址L0至LM-1的第一映对表,一记录该第二储存磁区所对应的实体区块地址为PM至PM+N-1以及逻辑区块地址LM至LM+N-1的第二映对表,以及一记录该第三储存磁区所对应的实体区块地址为PN至PN+R-1以及逻辑区块地址LN至LN+R-1的第三映对表。

6.如权利要求1所述的具有混合储存模式的固态储存装置,其特征在于,该数据处理模块具有一于该指令为写入数据动作时根据该第一储存磁区及该第二储存磁区的每一该数据区块的消除次数找出一可记录区块进行平均写入的平均写入演算法。

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