[发明专利]具有混合储存模式的固态储存装置

说明书

一种具有混合储存模式的固态储存装置，主要由一快闪记忆体以及一与该快闪记忆体信息连接的数据处理模块。其中，该快闪记忆体包含有一以一第一电位储存模式储存数据的第一储存磁区以及一以一第二电位储存模式储存数据的第二储存磁区，该第一储存磁区的实体区块地址为P₀至P_M‑1，逻辑区块地址为L₀至L_M‑1，而该第二储存磁区的实体区块地址为P_M至P_M+N‑1，该逻辑区块地址为L_M至L_M+N‑1。该数据处理模块具有一解读一指令所包含的该逻辑区块地址而于对应的该实体区块地址执行指令动作的数据处理模式。据此，以提供一种具高稳定性及高数据储存容量的固态储存装置。

技术领域

本发明涉及一种固态储存装置，尤其涉及一种以相同快闪记忆体实施两种以上电位储存模式的固态储存装置。

背景技术

随固态储存装置(Solid-State Drive，SSD)技术的成熟，以逐渐取代现有硬碟装置(Hard Disk Drive，HDD)，固态储存装置相较于现有硬碟装置具有数据存取的反应速度快速、耗电量低、重量轻等优点。

又，固态储存装置主要利用一快闪记忆体的浮置栅板晶体管来储存数据位元数据，且根据每一该晶体管所能储存的数据位元数量可区分成单级单元式(Single-LevelCell，SLC)与多级单元式(Multi-Level Cell，MLC)等两种电位储存模式。该单级单元式于实施时，仅会有两种电压的变化，也就是每一该晶体管仅会储存有单一数据位元，而多级单元式于实施时，则可于每一该晶体管内储存二至三个数据位元。因此，于当使用多级单元式实施时，每一该晶体管所能储存数据位元的数量是以单级单元式实施的数倍，且以多级单元式实施的快闪记忆体其制造成本相对低廉，但此种实施方式于数据存取的反应速度相对较慢、寿命较低。然而，以单级单元式实施的快闪记忆体其虽然具有稳定性较高、数据存取的反应速度相对较快以及使用寿命较长的优点，但其所能储存数据的容量密度较低，使其制造成本相对较高。

据此，各家厂商纷纷提出包含有单级单元式电位储存模式以及多级单元式电位储存模式的混合式固态储存装置，就如中国台湾发明第I385517号专利案，其公开一种储存装置，其是以一第一快闪记忆体以及一相异于该第一快闪记忆体的第二快闪记忆体产生混合式储存的目的，但该专利案于使用上需要添购两种不同种类的快闪记忆体，使得制造成本仍会受限于以单级单元式电位储存模式实施的快闪记忆体的售价，无法有效的下降。

发明内容

本发明的主要目的，在于解决现有固态储存装置仅能以单一电位储存模式实施所产生的数据稳定性以及数据储存量的问题。

为达上述目的，本发明提供一种具有混合储存模式的固态储存装置，该固态储存装置包含有一快闪记忆体以及一数据处理模块。其中，该快闪记忆体包含有一以一第一电位储存模式储存数据的第一储存磁区以及一以相异于该第一电位储存模式的一第二电位储存模式储存数据的第二储存磁区，该第一储存磁区包含有M个数据区块，该第二储存磁区包含有N个数据区块，每一该数据区块分别对应一实体区块地址以及一逻辑区块地址，该第一储存磁区的实体区块地址为P₀至P_M-1，而该逻辑区块地址为L₀至L_M-1，该第二储存磁区的实体区块地址为P_M至P_M+N-1，而该逻辑区块地址为L_M至L_M+N-1。该数据处理模块与该快闪记忆体信息连接，具有一接受一指令并解读该指令所包含的该逻辑区块地址而于对应的该实体区块地址执行指令动作的数据处理模式。

于一实施例中，该第一电位储存模式为单级单元式，而该第二电位储存模式为多级单元式。进一步地，该数据处理模块具有一判断该指令所包含的该逻辑区块地址为L₀至L_M-1时对该指令加入一电位调变指令改变该指令原有电位储存方式的数据调变模式。