[发明专利]一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法有效
| 申请号： | 201410331508.X | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104085884A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李洁;王奇;韦娟;陈长伦;王祥科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sub ar 混合 等离子体 还原 氧化 石墨 go 提高 电化学 性能 方法 | ||
1.一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、将一定量的氧化石墨烯GO溶液超声均匀分散，然后用旋涂仪将石墨烯GO旋涂在氧化铟锡ITO导电玻璃基底上，旋涂仪速度为2950-3050 rpm，旋涂时间为88-92 s，然后置于58-62 °C的加热台上干燥4-6 min，得烘干的氧化石墨烯GO薄膜；
B、将载有氧化石墨烯GO薄膜的ITO导电玻璃置于等离子体放电室中，通过调节参数，在放电室内产生H2和Ar混合等离子体流，将该混合等离子体流直接作用在GO薄膜的表面，放电一定时间后制得还原石墨烯(rGO)薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法，其特征在于：步骤A所述的GO分散液浓度为5 mg/mL，旋涂速度为3000 rpm，旋涂时间为90 s，干燥温度为60 °C，干燥时间为5 min。
3.根据权利要求1所述的一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法 ，其特征在于：步骤B所述的等离子体放电室中接由石墨电极，电极连接一个能够产生电感耦合等离子体源的交流电源,放电前先通入Ar，以排除空气，然后抽真空至2 Pa左右,打开H2和Ar阀，调节流量计中H2和Ar的流量，然后调节等离子体放电室内的压强，最后调节交流电源功率,产生的混合等离子体流直接作用在GO薄膜的表面,等离子体放电室内的压强为4.7 Pa，总气体流量为3 sccm，H2和Ar流量比为 2:1，作用时间为5min，交流电功率为70 w。
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