[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一导电层，具有一第一导电材料；

一导电条纹，与该导电层位于相同的阶层，并具有一第二导电材料，其中该第二导电材料是邻接于该第一导电材料，该第一导电材料与该第二导电材料具有不同的导电性质；

一介电层；

一导电元件，与该导电条纹交错配置，其中该导电元件是通过该介电层与该导电条纹分开；以及

互不重叠的一存储器阵列区与一接垫区，其中该导电条纹位于该存储器阵列区中，该导电层位于该接垫区中；

其中，该导电条纹是通过填充在孔隙中的该第二导电材料所形成，填充在孔隙中的该第二导电材料是受到孔隙上、下侧的介电膜与第一通孔中的介电层及导电插塞所支撑，而该介电层位于该导电插塞的侧壁上。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，包括多导电阶层的叠层，其中这些导电阶层各包括该导电层与该导电条纹，不同阶层的这些导电层是分别透过不同深度的开口露出。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该导电元件包括该导电插塞，该介电层位于该导电插塞的一侧壁与一底表面上。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该导电元件具有不同于该第一导电材料与该第二导电材料的一第三导电材料。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该导电元件包括相邻接的该导电插塞与一导电连接，该导电插塞位于该导电条纹的相对两侧壁上，该导电连接位于该导电条纹的上表面上方。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一介电插塞，其中该导电条纹是由相邻接的该介电层与该介电插塞定义出。

7.一种半导体结构的制造方法，包括：

于一叠层结构中形成一第一通孔，以露出该叠层结构具有一第一导电材料的一导电膜；

形成一介电层于该第一通孔中；

以一导电插塞填充该第一通孔；

于该叠层结构中形成露出该介电层与该导电膜的一第二通孔；

移除该第二通孔露出的部分该导电膜，以形成由该第二通孔向外延伸的一孔隙；

以一第二导电材料填充该孔隙；以及

以一介电插塞填充该第二通孔。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其中该第二通孔是露出该导电膜与该第一通孔中的该介电层与该导电插塞，该第二通孔露出的该部分导电膜是通过一刻蚀步骤进行移除，该刻蚀步骤对于该导电膜的刻蚀速率高于对于该介电层与该导电插塞的刻蚀速率。

9.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，更包括形成一导电连接于该导电插塞上，其中填充在该孔隙中的该第二导电材料是形成一导电条纹，该导电条纹的轮廓是通过该第一通孔与该第二通孔的侧壁定义出。