[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一导电层、一导电条纹、一介电层、与一导电元件。导电层具有一第一导电材料。导电条纹与导电层位于相同的阶层，并具有一第二导电材料。第二导电材料是邻接导电性质不同的第一导电材料。导电元件与导电条纹交错配置，并通过介电层分开于导电条纹。

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种存储器及其制造方法。

背景技术

近年来半导体元件的结构不断地改变，且元件的存储器储存容量也不断增加。存储装置是使用于许多产品之中，例如MP3播放器、数码相机、计算机档案等等的储存元件中。随着应用的增加，对于存储装置的需求也趋向较小的尺寸、较大的存储容量。因应这种需求，是需要制造高元件密度及具有小尺寸的存储装置。

因此，设计者们无不致力于开发一种三维存储装置，不但具有许多叠层平面而达到更高的记忆储存容量，具有更微小的尺寸，同时具备良好的特性与稳定性。

发明内容

根据一实施例，公开一种半导体结构，其包括一导电层、一导电条纹、一介电层、与一导电元件。导电层具有一第一导电材料。导电条纹与导电层位于相同的阶层，并具有一第二导电材料。第二导电材料是邻接导电性质不同的第一导电材料。导电元件与导电条纹交错配置，并通过介电层分开于导电条纹。

根据另一实施例，公开一种半导体结构的制造方法，其包括以下步骤。于一叠层结构中形成一第一通孔，以露出叠层结构具有一第一导电材料的一导电膜。形成一介电层于第一通孔中。以一导电插塞填充第一通孔。于叠层结构中形成露出介电层与导电膜的一第二通孔。移除第二通孔露出的部分导电膜，以形成由第二通孔向外延伸的一孔隙。以一第二导电材料填充孔隙。以一介电插塞填充第二通孔。

附图说明

图1A至图9绘示根据实施例的半导体结构的制造方法。

【符号说明】

102：叠层结构

104：导电膜

106：介电膜

108：存储器阵列区

110：第一通孔

112：介电层

114：导电插塞

116：上表面

118：侧壁

120：底表面

122：掩模层

124：开口

126：第二通孔

128：侧壁

130：侧壁

132：导电条纹轮廓

134：孔隙

136：接垫区

138：导电层

140：导电条纹

142：介电插塞

144：导电连接

146：导电元件

148：侧壁

150：侧壁

152：开口

具体实施方式

图1A至图9绘示根据实施例的半导体结构的制造方法。