[发明专利]基准电压产生电路无效
申请号: | 201410332492.4 | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN104102266A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 黄九洲 | 申请(专利权)人: | 南京芯力微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 熊玉玮 |
地址: | 210016 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 电压 产生 电路 | ||
1.基准电压产生电路,包括:由输入电压转换为预调节电压的预调整电路,在预调节电压作用下产生基准电压的核心电路,其特征在于,所述预调整电路包括:第一耗尽型NMOS管(DN11)、第二耗尽型NMOS管(DN22),核心电路包括:第三耗尽型NMOS管(DN1)、第四耗尽型NMOS管(DN2)、增强型NMOS管(MN1),第一电阻(R1),
所述第一、第二耗尽型NMOS管(DN11、DN22)的漏极均接输入电压,第一、第二耗尽型NMOS管(DN11、DN22)的衬底均接地,第一耗尽型MOS管(DN11)源极、第二耗尽型NMOS管(DN22)栅极均与第三耗尽型NMOS管(DN1)漏极连接,第二耗尽型NMOS管(DN22)源极、第一耗尽型NMOS管(DN11)栅极均与第四耗尽型NMOS管(DN2)漏极连接,第三耗尽型NMOS管(DN1)的栅极、源极短接,第三耗尽型NMOS管(DN1)栅极与第四耗尽型NMOS管(DN2)栅极连接,增强型NMOS管(MN1)漏极接第三耗尽型NMOS管(DN1)源极,增强型NMOS管(MN1)源极接地,增强型NMOS管(MN1)栅极、第四耗尽型NMOS管(DN2)源极第一电阻(R1)一端连接在一起形成基准电压输出点,第一电阻(R1)另一端接地。
2.根据权利要求1所述的基准电压产生电路,其特征在于还包括接在所述第一电阻(R1)另一端与大地之间的分压支路,选取分压支路的若干分压输出点作为其余的基准电压输出点。
3.根据权利要求2所述的基准电压产生电路,其特征在于,所述分压支路选取的电路元器件具有不同的温度系数,分压支路等效为零温度系数的基准电流产生电路。
4.根据权利要求2或3所述的基准电压产生电路,其特征在于,所述分压支路为第二电阻(R2),第二电阻(R2)一端与第一电阻(R1)另一端连接作为另一个基准电压输出点,第二电阻(R2)另一端接地。
5.根据权利要求4所述的基准电压产生电路,其特征在于,所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)采用Trimming设计,通过激光或烧铝修调第一电阻(R1)跟第二电阻(R2)的大小。
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