[发明专利]基准电压产生电路

说明书

技术领域

本发明公开了基准电压产生电路，尤其是一种由耗尽型MOS管与增强型MOS管组成的基准电压产生电路，属于集成电路的技术领域。

背景技术

基准电压源作为IC设计中重要的单元模块电路，被广泛应用于各种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合集成电路中。随着集成电路技术的发展，现今对基准电压源的要求越来越高，要求基准电压源的功耗低、噪声低、温度系数低、PSRR高、版图面积小等。

传统的基准电压源一般采用带隙基准结构，利用三极管BJT的负温度系数的BE结压降V_BE跟BJT热电压VT产生的正温度系数电流流过电阻产生的的正温度系数电压叠加，生成零温度系数的基准电压。传统的带隙基准结构包括运放、三极管BJT、电阻以及补偿电容等，用到的元器件多，版图面积大，消耗的电流大；且带隙基准的输出噪声较高不容易降下来；如果要获得较高的PSRR，对所用运放的增益、带宽等都有较高要求，这些因素都限制了带隙基准源的性能。

基于上述原因，寻找一种结构简单、性能优异，同时消耗的电流又极低的基准电压产生电路很有必要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述背景技术的不足，提供了基准电压产生电路。

本发明为实现上述发明目的采用如下技术方案：

基准电压产生电路，包括：由输入电压转换为预调节电压的预调整电路，在预调节电压作用下产生基准电压的核心电路，所述预调整电路包括：第一耗尽型NMOS管、第二耗尽型NMOS管，核心电路包括：第三耗尽型NMOS管、第四耗尽型NMOS管、增强型NMOS管，第一电阻，

所述第一、第二耗尽型NMOS管的漏极均接输入电压，第一、第二耗尽型NMOS管的衬底均接地，第一耗尽型MOS管源极、第二耗尽型NMOS管栅极均与第三耗尽型NMOS管漏极连接，第二耗尽型NMOS管源极、第一耗尽型NMOS管栅极均与第四耗尽型NMOS管漏极连接，第三耗尽型NMOS管的栅极、源极短接，第三耗尽型NMOS管栅极与第四耗尽型NMOS管栅极连接，增强型NMOS管漏极接第三耗尽型NMOS管源极，增强型NMOS管源极接地，增强型NMOS管栅极、第四耗尽型NMOS管源极第一电阻一端连接在一起形成基准电压输出点，第一电阻另一端接地。

进一步的，基准电压产生电路还包括接在所述第一电阻另一端与大地之间的分压支路，选取分压支路的若干分压输出点作为其余的基准电压输出点。

作为所述基准电压产生电路的进一步优化方案，分压支路选取的电路元器件具有不同的温度系数，分压支路等效为零温度系数的基准电流产生电路。

作为所述基准电压产生电路的进一步优化方案，所述分压支路为第二电阻，第二电阻一端与第一电阻另一端连接作为另一个基准电压输出点，第二电阻另一端接地。

作为所述的基准电压产生电路的进一步优化方案，所述第一电阻、第二电阻采用Trimming设计，通过激光或烧铝修调第一电阻跟第二电阻的大小。

本发明采用上述技术方案，具有以下有益效果：简化电路并减小了版图面积，实现了任意值基准电压的输出，具有低功耗、低噪声、低温度系数、高PSRR的优点。

附图说明

图1是本发明的新型耗尽管基准电压产生电路原理图。

图2是基本的耗尽管基准电压产生电路原理图。

图3是改进的耗尽管基准电压产生电路原理图。

图中标号说明：DN11、DN22、DN33、DN44、DN1、DN2、DN3、DN4为耗尽型NMOS管，MN1、MN3、MN4为增强型NMOS管，R1、R2为电阻。

具体实施方式

下面结合附图对发明的技术方案进行详细说明。

耗尽管基准电压是由增强型NMOS跟耗尽型NMOS的阈值电压叠加而得，通过抵消增强型NMOS跟耗尽型NMOS各自V_TH的负温度系数，得到零温度系数的基准电压。基本的耗尽管基准电压产生电路如图2所示，耗尽型NMOS管DN0的漏极连接VIN，耗尽型NMOS管DN0的栅源短接连接到增强型NMOS管MN0的漏极跟栅极连接，增强型NMOS管MN0的源极接地，增强型NMOS管MN0的栅源电压即为基准电压V_REF：