[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

多个第一互连焊盘，设置在第一互连级处；

多个第二互连焊盘，设置在第二互连级处，其中，所述第二互连级位于所述第一互连级的上方；

第一层间介电层，设置在所述第一互连级和所述第二互连级之间；

薄膜电阻器，将设置在所述第二互连级处的所述多个第二互连焊盘中的两个第二互连焊盘电连接；以及

至少两个端帽，分别设置在所述薄膜电阻器和所述多个第二互连焊盘中的两个第二互连焊盘之间，

其中，每个端帽均与所述薄膜电阻器和所述多个第二互连焊盘中的一个第二互连焊盘直接接触。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述端帽设置在所述薄膜电阻器的上方，并且每个端帽分别被所述多个第二互连焊盘中的一个第二互连焊盘覆盖。

3.根据权利要求2所述的集成电路，还包括：

多个第一通孔，设置在所述第一层间介电层内并且分别连接所述多个第一互连焊盘和所述多个第二互连焊盘。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，每个端帽均通过所述多个第一通孔中的一个第一通孔而电连接至所述多个第一互连焊盘中的一个第一互连焊盘。

5.根据权利要求2所述的集成电路，还包括：

多个第三互连焊盘，设置在第三互连级上，其中，所述第三互连级位于所述第二互连级的上方；

第二层间介电层，设置在所述第二互连级和所述第三互连级之间；以及

多个第二通孔，设置在所述第二层间介电层内并且分别连接所述多个第二互连焊盘和所述多个第三互连焊盘，

其中，每个端帽均通过所述多个第二通孔中的一个第二通孔而电连接至所述多个第三互连焊盘中的一个第三互连焊盘。

6.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述第二互连焊盘包括：

第一氮化钛(TiN)层；

铝铜(AlCu)层，设置在所述第一氮化钛(TiN)层上；

第二氮化钛(TiN)层，设置在所述铝铜(AlCu)层上；以及

氮氧化硅(SiON)层，设置在所述第二氮化钛(TiN)层上。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述端帽设置在所述薄膜电阻器的下方，并且每个端帽均分别设置在所述多个第二互连焊盘中的一个第二互连焊盘之上。

8.根据权利要求7所述的集成电路，还包括：

多个第一通孔，设置在所述第一层间介电层内并且分别连接所述多个第一互连焊盘和所述多个第二互连焊盘，

其中，每个端帽均通过所述多个第一通孔中的一个第一通孔而电连接至所述多个第一互连焊盘中的一个第一互连焊盘。

9.一种制造集成电路的方法，包括：

提供具有多个第一互连焊盘和第一层间介电层的半导体衬底，其中，所述第一层间介电层覆盖所述多个第一互连焊盘；

在所述第一层间介电层上形成金属电阻器层和金属覆盖层的层压层，其中，所述金属电阻器层夹置在所述金属覆盖层和所述第一层间介电层之间；

图案化所述金属电阻器层和金属覆盖层的层压层；

在所述第一层间介电层上和所述层压层上形成多个第二互连焊盘，其中，所述多个第二互连焊盘中的两个第二互连焊盘分别覆盖所述金属覆盖层的不同部分，而所述金属覆盖层的其他部分被暴露；以及

去除所述金属覆盖层的暴露部分以形成两个电绝缘的端帽。

10.一种制造集成电路的方法，包括：

提供具有多个第一互连焊盘和第一层间介电层的半导体衬底，其中，所述第一层间介电层覆盖所述多个第一互连焊盘；

形成穿过所述第一层间介电层的多个第一通孔，其中，每个第一通孔均电连接至所述第一互连焊盘；

同时形成多个第二互连焊盘和多个端帽，其中，所述多个第二互连焊盘分别连接至所述多个第一通孔，并且所述多个端帽分别设置在所述多个第二互连焊盘上；

形成金属电阻器层和介电层的层压层，以覆盖所述多个端帽和所述第一层间介电层，其中，所述金属电阻器层夹置在所述多个端帽和所述介电层之间；以及

图案化所述金属电阻器层和介电层的层压层，从而形成至少两个电绝缘的端帽，所述至少两个电绝缘的端帽之间仅通过所述金属电阻器层来实现电连接。