[发明专利]集成电路及其制造方法

说明书

技术领域

本发明总体涉及集成电路，更具体地，涉及薄膜电阻器(TFR)。

背景技术

薄膜电阻器(TFR)对于高精度模拟和混合信号应用来说是非常具有吸引力的组件，并且已用于许多重要的技术应用的电子电路中。TFR可以是单个器件的组成部分，或可以是复杂的混合电路或集成电路的组成部分。当将TFR整合到集成电路的现有工艺流程中时，需要特别注意。

通常，在集成电路中制造TFR过程中，在金属互连水平上将TFR的材料蒸发或溅射到衬底晶圆上，并且随后对其进行图案化和蚀刻。这样，TFR嵌入在金属间介电(IMD)层之间。TFR需要电连接。因此，需要两个额外掩模层来形成TFR本身并且形成TFR的接触点。通常，集成电路内的TFR和其他器件的连接是从上面的金属互连层到TFR的接触点。TFR的接触点需要在通孔蚀刻期间保护电阻器，通孔蚀刻是使上面的金属互连层和电阻器相接触的工艺。

因此，用于TFR的额外掩模增加了带有TFR的集成电路的制造成本。此外，工艺裕度和所产生的集成电路的可靠性还受限于将TFR整合到集成电路内所需的多次沉积和干/湿蚀刻步骤。因此，需要继续改进构造具有TFR的集成电路的结构和方法。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种集成电路，包括：多个第一互连焊盘，设置在第一互连级处；多个第二互连焊盘，设置在第二互连级处，其中，第二互连级位于第一互连级的上方；第一层间介电层，设置在第一互连级和第二互连级之间；薄膜电阻器，将设置在第二互连级处的多个第二互连焊盘中的两个第二互连焊盘电连接；以及至少两个端帽，分别设置在薄膜电阻器和多个第二互连焊盘中的两个第二互连焊盘之间，其中，每个端帽均与薄膜电阻器和多个第二互连焊盘中的一个第二互连焊盘直接接触。

优选地，端帽设置在薄膜电阻器的上方，并且每个端帽分别被多个第二互连焊盘中的一个第二互连焊盘覆盖。

优选地，该集成电路还包括：多个第一通孔，设置在第一层间介电层内并且分别连接多个第一互连焊盘和多个第二互连焊盘。

优选地，每个端帽均通过多个第一通孔中的一个第一通孔而电连接至多个第一互连焊盘中的一个第一互连焊盘。

优选地，该集成电路还包括：多个第三互连焊盘，设置在第三互连级上，其中，第三互连级位于第二互连级的上方；第二层间介电层，设置在第二互连级和第三互连级之间；以及多个第二通孔，设置在第二层间介电层内并且分别连接多个第二互连焊盘和多个第三互连焊盘，其中，每个端帽均通过多个第二通孔中的一个第二通孔而电连接至多个第三互连焊盘中的一个第三互连焊盘。

优选地，第二互连焊盘包括：第一氮化钛(TiN)层；铝铜(AlCu)层，设置在第一氮化钛(TiN)层上；第二氮化钛(TiN)层，设置在铝铜(AlCu)层上；以及氮氧化硅(SiON)层，设置在第二氮化钛(TiN)层上。

优选地，端帽设置在薄膜电阻器的下方，并且每个端帽均分别设置在多个第二互连焊盘中的一个第二互连焊盘之上。

优选地，该集成电路还包括：多个第一通孔，设置在第一层间介电层内并且分别连接多个第一互连焊盘和多个第二互连焊盘，其中，每个端帽均通过多个第一通孔中的一个第一通孔而电连接至多个第一互连焊盘中的一个第一互连焊盘。

优选地，该集成电路还包括：多个第三互连焊盘，设置在第三互连级上，其中，第三互连级位于第二互连级之上；第二层间介电层，设置在第二互连级和第三互连级之间；以及多个第二通孔，设置在第二层间介电层内并且分别电连接多个第二互连焊盘和多个第三互连焊盘，其中，每个端帽均通过多个第二通孔中的一个第二通孔连接至多个第三互连焊盘中的一个第三互连焊盘。

优选地，第二互连焊盘包括：铝铜(AlCu)层；以及氮化钛(TiN)层，设置在铝铜(AlCu)层上。

优选地，薄膜电阻器是由选自由硅铬(SiCr)、氮化钽(TaN)和镍铬(NiCr)组成的组中的材料制成，并且端帽是由选自由氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钛钨(TiW)和钽钨(TaW)组成的组中的材料制成。