[发明专利]一种压阻传感元件及其制备方法

权利要求书

1.一种压阻传感元件，其特征是：由衬底、类金刚石碳膜、金属电极组成，类金刚石碳膜位于衬底表面，金属电极位于类金刚石碳膜表面。

2.如权利要求1所述的压阻传感元件，其特征是：所述的衬底为PET、PI、PMMA、Al₂O₃、玻璃中的一种。

3.如权利要求1所述的压阻传感元件，其特征是：所述的金属电极材料为W、Cr、Ti、Al、Ag中的一种金属或者几种的合金。

4.如权利要求1所述的压阻传感元件，其特征是：所述的类金刚石碳膜的厚度为200～700nm。

5.制备权利要求1至4中任一权利要求所述的压阻传感元件的方法，其特征是：包括如下步骤：

步骤1：将衬底置于真空腔室中，利用氩离子刻蚀衬底表面；

步骤2：向镀膜腔室内通入碳氢气体，通过阳极层离子源离化后在衬底表面沉积类金刚石碳膜，离子源电流为0.1A～0.5A，腔体内气体压力为0.2Pa～1Pa，衬底直流脉冲偏压为-50V～-400V；

步骤3：将步骤2得到的表面沉积类金刚石碳膜的衬底从镀膜腔室中取出，在类金刚石碳膜表面留出待沉积电极区域，其余的区域采用掩模板覆盖，然后再次放入腔体中，采用磁控溅射技术在待沉积区域溅射沉积金属电极；溅射气体为Ar，溅射靶电流为1～5A，腔体内压力为0.2Pa～0.5Pa，衬底直流脉冲偏压为-50V～-100V。

6.如权利要求5所述的压阻传感元件的制备方法，其特征是：所述的步骤2中，碳氢气体是C₂H₂、CH₄、C₆H₆气体中的一种或几种。