[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括第一器件区域和第二器件区域，其中，

第一器件区域包括：

衬底；

第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；

第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位于空腔之上；

第二器件区域包括：

衬底；

第二有源区堆叠，包括衬底上的第三半导体区和其上的第四半导体区，以及绝缘层，绝缘层位于第三半导体区的端部、第四半导体区与衬底之间；

第二器件，位于第四半导体区之上，且其源漏区位于绝缘层之上；

第一半导体区包括衬底上的第二半导体层和第二半导体层上的第三半导体层，第二半导体区为第四半导体层；第三半导体区为第二半导体层，第四半导体区为第四半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第三器件区域，所述第三器件区域包括：

衬底；

第三器件，位于衬底之上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为体硅衬底，第二半导体层和第三半导体层为Ge_xSi_1-x，0<x<1，第四半导体层为硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一器件区域还包括氧化物层，形成于空腔的半导体材料的表面上。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S01，提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；

S02，在衬底的第一区域上形成第一半导体区和其上的第二半导体区，以及在衬底的第二区域上形成第三半导体区和其上的第四半导体区；

S03，分别在第一半导体区和第三半导体区的端部形成第一开口和第二开口；填满第二开口，以形成绝缘层；

S04，分别在第二半导体区及第四半导体区上形成第一器件和第二器件；

步骤S02具体包括：

在第一区域和第二区域上外延生长第二半导体层；

在第一区域的第二半导体层上外延生长第三半导体层；

进行外延生长，在第三半导体层和第二区域的第二半导体层上形成第四半导体层；

进行刻蚀，在第一区域形成图案化的包括第二半导体层和第三半导体层的第一半导体区和包括第四半导体层的第二半导体区，在第二区域形成图案化的包括第二半导体层的第三半导体区和包括第四半导体层的第四半导体区，第四半导体层两侧的开口为隔离沟槽。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述衬底还具有第三区域；

在步骤S04，还包括：在第三区域的衬底上形成第三器件。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述衬底还具有第三区域；所述进行外延生长的步骤还包括：在第三区域的衬底上形成第四半导体层；

所述进行刻蚀的步骤还包括：在第三区域上形成图案化的第四半导体层；

在步骤S04还包括：在第三区域的第四半导体层上形成第三器件。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，填满第二开口的步骤具体包括：进行氧化工艺，以使得第二开口中充满第二开口表面的半导体材料的氧化物层，第一开口的表面上形成第一开口表面的半导体材料的氧化物层。