[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，衬底具有第一半导体材料；

第一有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层，以及空腔，空腔位于第一有源区堆叠的第二半导体层的端部、第三半导体层与衬底之间；

第二有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层；

隔离结构，位于第一和第二有源区堆叠两侧的衬底上；

第一器件和第二器件，分别位于第一有源区堆叠和第二有源区堆叠之上，第一器件的源漏区位于空腔之上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为体硅衬底，第二半导体层为Ge_xSi_1-x，0<x<1，第三半导体层为硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

氧化物层，位于构成空腔的半导体材料的表面上。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在隔离结构与衬底之间以及第三半导体层、第二半导体层与隔离结构之间也形成有氧化物层。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供具有第一半导体材料的衬底；

在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括第二半导体层和第三半导体层；

去除部分堆叠层的端部的第二半导体层，以形成开口；

在堆叠层两侧的衬底上形成隔离结构；

在堆叠层上形成器件结构，其中，开口上为器件结构的源漏区。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，形成第二半导体层和第三半导体层的步骤具体为：

在衬底上外延生长第二半导体层；

在第二半导体层上外延生长第三半导体层；

图案化所述第二半导体层及第三半导体层，以形成堆叠层，堆叠层两侧为隔离沟槽。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为体硅衬底，第二半导体层为Ge_xSi_1-x，0<x<1，第三半导体层为硅。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，去除部分堆叠层的端部的第二半导体层，以形成开口的步骤具体包括：

在部分堆叠层的第二半导体层的侧壁上形成掩膜层；

以掩膜层为掩蔽，采用湿法刻蚀，从第二半导体层的端部选择性去除部分第二半导体层，以形成开口。

9.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成开口与形成隔离结构之间，还包括步骤：

在开口的内壁上形成氧化物层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在开口的内壁上形成氧化物层的步骤具体包括：

进行氧化，在衬底、第二半导体层、第三半导体层的暴露的表面上形成氧化层。