[发明专利]快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置在审
申请号: | 201410340444.X | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN104078403A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 崔艳峰;陈奕峰;王子港;丁志强;顾卫龙;皮尔·威灵顿 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 改善 太阳电池 衰减 量产 装置 | ||
1.一种快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置,包括保温箱体(2)、多个光源(3)、多个加热器件(4)和放置电池片的电池片传送带(1),其特征在于:所述的电池片传送带(1)设置在保温箱体(2)内,并且电池片传送带(1)为圆形或U形结构,多个光源(3)分布在电池片传送带(1)的上方以便用于照射电池片传送带(1)上的电池片,多个加热器件(4)安装在保温箱体(2)内,并且分布在电池片传动带(1)的下方以便用于加温电池片传送带(1)上的电池片。
2.根据权利要求1所述的快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置,其特征在于:所述的电池片传送带(1)为圆形结构时,其半径为0.5m~5m;所述的电池片传送带(1)为U形结构时,其U形总长0.5m~10m,电池片传送带的U形部位的半径为0.5m~5m。
3.根据权利要求1所述的快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置,其特征在于:所述的光源(3)强度范围为1*103w/m2~3*106w/m2。
4.根据权利要求1或3所述的快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置,其特征在于:所述的光源(3)为LED灯或卤素灯或Flash灯。
5.根据权利要求1所述的快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置,其特征在于:所述的加热器件(4)为加热电阻丝。
6.根据权利要求1或5所述的快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置,其特征在于:所述的加热器件(4)的加热温度范围为200℃~350℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造