[发明专利]快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置，属于太阳电池技术领域。

背景技术

目前，光致衰减(light-induced degradation：LID)是指晶硅太阳能电池经过光照后电池效率下降的现象，在P型单晶电池上最明显，衰减比可以达到相对比3％-7％，其次是多晶，也在1％-1.5％之间，以常见的标准商业60片多晶组件为例，电池效率为17.5％，那么由于LID现象造成的组件输出功率损耗约在2.55W-4W之间。而单晶P型电池片远高于这个范围。目前普遍被认可的解释是由于B-O复合中心造成的。要消除这种现象，方法可以是降低硅片中B或O含量，镓或铟取代B作为P型掺杂剂，或者采用P作为N型掺杂剂。但这些方法均存在着生产成本增加的缺点，因此不利于工业化生产。近几年出现一种光照下加热的方法，但需要几十分钟至几小时不等，不适宜量产。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置，它能够节省光源和加热器件的使用数量，降低设备成本，有效地缩短对电池片的处理时间，增加其生产产能，降低了生产成本，满足产业化生产的需求。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置，包括保温箱体、多个光源、多个加热器件和放置电池片的电池片传送带，电池片传送带设置在保温箱体内，并且电池片传送带为圆形或U形结构，多个光源分布在电池片传送带的上方以便用于照射电池片传送带上的电池片，多个加热器件安装在保温箱体内，并且分布在电池片传动带的下方以便用于加温电池片传送带上的电池片。

进一步提供了电池片传送带的具体尺寸，所述的电池片传送带为圆形结构时，其半径为0.5m～5m；所述的电池片传送带为U形结构时，其U形总长0.5m～10m，电池片传送带的U形部位的半径为0.5m～5m。

进一步限定了一种最佳的使用光源以便达到最优的光照效果，所述的光源强度范围为1*10³w/m²～3*10⁶w/m²。

进一步，所述的光源为LED灯或卤素灯或Flash灯。

进一步，所述的加热器件为加热电阻丝。

进一步限定了一种最佳的加热器件以便达到最优的加热效果，所述的加热器件的加热温度范围为200℃～350℃。

采用了上述技术方案后，该装置设备简单，操作容易，适合流水线生产，且圆形或U形的电池片传送带的设计可以节省光源和加热器件的使用数量，降低设备成本；采用光照下加热的方法对电池片进行免接触式改善电池片光致衰减的特性，并通过进一步对光照强度和加热温度的优化，可以有效地缩短对电池片的处理时间，最快可以达到秒的量级，从而增加产能，降低生产成本，满足产业化生产的需求。

附图说明

图1为本发明的快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置的立体图。

具体实施方式

为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明。

如图1所示，一种快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置，包括保温箱体2、多个光源3、多个加热器件4和放置电池片的电池片传送带1，电池片传送带1设置在保温箱体2内，并且电池片传送带1为圆形或U形结构，多个光源3分布在电池片传送带1的上方以便用于照射电池片传送带1上的电池片，多个加热器件4安装在保温箱体2内，并且分布在电池片传动带1的下方以便用于加温电池片传送带1上的电池片。该装置可以置于烧结工艺步骤之后电池分选之前，该装置当然也可以同烧结工艺相结合，即在烧结工艺中添加光源3。

电池片传送带1为圆形结构时，其半径为0.5m～5m；电池片传送带1为U形结构时，其U形总长0.5m～10m，电池片传送带的U形部位的半径为0.5m～5m。

光源3强度范围为1*10³w/m²～3*10⁶w/m²。

光源3为LED灯或卤素灯或Flash灯。

加热器件4为加热电阻丝。

加热器件4的加热温度范围为200℃～350℃。

本发明的工作原理如下：