[发明专利]一种混合存储单元的读取电路结构

权利要求书

1.一种混合存储单元的读取电路结构，其特征在于：它由一个反相器和一个感知放大器及一个非易失性存储单元共同组成，反相器的输入端连接混合存储单元中选择晶体管的漏极，即连接点X；感知放大器的两个输入端一个接参考电压信号，另一个也接到混合存储单元中选择晶体管的漏极，即连接点X；

该反相器由一个P型和一个N型晶体管构成，其功能是产生一个与输入信号相反的逻辑信号；

该感知放大器为传统的电压比较放大器，其功能是通过放大比较两个输入电压信号输出相应的逻辑值；

该非易失性存储单元由选择晶体管和混合存储单元HMC串联构成，此处的选择晶体管是N型或P型，混合存储单元HMC中的RRAM存储单元MIM的一端连接位线BL，另一端连接混合存储单元HMC中的STT-MRAM存储单元MTJ的一端；STT-MRAM存储单元MTJ的另一端连接N型晶体管的源极/漏极；N型晶体管的漏极/源极连接源线SL；N型晶体管的栅极连接字线WL，其功能是实现高速计算和大容量存储。