[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制备方法有效
申请号: | 201410340526.4 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN104517724B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 全炳珍;文济益;韩在焕;庾胜熙 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/232;H01G4/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘奕晴,金光军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电子元件 及其 制备 方法 | ||
1.一种多层陶瓷电子元件,该多层陶瓷电子元件包括:
包括内电极和介电层的陶瓷体;
配置在所述陶瓷体的至少一个表面上且与所述内电极电连接的电极层;以及
配置在所述电极层上且含有金属粒子和基体树脂的导电树脂层;
其中,当所述导电树脂层的表面部分中的金属和碳的重量比为A,并且所述导电树脂层的内部中的金属和碳的重量比为B时,A大于B,
其中,一组金属粒子从所述基体树脂突出,以及
所述基体树脂的表面首先相对于所述陶瓷体在所述一组金属粒子中的一个和所述基体树脂之间的界面上升,然后相对于所述陶瓷体在所述界面的附近下降。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,A/B在1.2-2.0的范围内。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述导电树脂层的表面部分中的金属和碳的重量比A为3.5-4.5。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述导电树脂层具有凹凸表面。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述导电树脂层具有凹凸表面,该凹凸表面包括暴露在所述基体树脂外部的金属粒子的表面。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述一组金属粒子从所述基体树脂突出,从而部分地暴露在所述基体树脂的外部。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述金属粒子包括铜、银、镍和它们的合金中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述金属粒子包括涂有银的铜。
9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,该多层陶瓷电子元件还包括配置在所述导电树脂层上的镀层。
10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述陶瓷体具有300-700μm的长度以及150-400μm的宽度。
11.一种多层陶瓷电子元件的制备方法,该方法包括:
形成包括介电层和内电极的陶瓷体;
在所述陶瓷体的端面上形成与所述内电极的一端电连接的电极层;
在所述电极层上施用导电树脂组合物,该组合物含有金属粒子、在室温下呈现为固态的固态树脂以及在室温下呈现为液态的液态树脂;以及
固化所述导电树脂组合物以形成导电树脂层,从而所述导电树脂层的表面部分中的金属和碳的重量比高于所述导电树脂层的内部中的金属和碳的重量比,
其中,在所述导电树脂组合物固化过程中,液态挥发使得部分金属粒子从所述导电树脂层突出。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,以所述固态树脂和所述液态树脂的总量为100重量份为基准,所述导电树脂组合物含有50-70重量份的液态树脂。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,当所述导电树脂层的表面部分中的金属和碳的重量比为A,并且所述导电树脂层的内部中的金属和碳的重量比为B时,A/B在1.2-2.0的范围内。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,所述导电树脂层的表面部分中的金属和碳的重量比A为3.5-4.5。
15.根据权利要求11所述的方法,其中,所述导电树脂层具有凹凸表面。
16.根据权利要求11所述的方法,其中,所述导电树脂层具有凹凸表面,该凹凸表面包括暴露在所述导电树脂层外部的金属粒子的表面。
17.根据权利要求11所述的方法,其中,所述部分金属粒子从所述导电树脂层突出,从而部分地暴露在所述导电树脂层的外部,并且所述导电树脂层的表面在所述导电树脂层和突出的金属粒子之间的界面以指定的高度上升,从而部分地围住该突出的金属粒子。
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