[发明专利]MEMS麦克风及其形成方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆的正面具有第一区和第二区，所述第二区环绕第一区，在所述第一区形成有导电极板；

在所述第一区形成覆盖、且包围导电极板的第一牺牲层；

在所述第一区形成位于第一牺牲层侧壁的第一支撑部、位于所述第一支撑部和第一牺牲层上的第一膜片，所述第一支撑部导电；

在垂直于第一晶圆正面方向上，在所述第一膜片上对应第一牺牲层的位置形成至少一层第二牺牲层；

在形成每层第二牺牲层后，形成位于该层第二牺牲层侧壁的第二支撑部、位于所述第二支撑部和第二牺牲层上的第二膜片，在每层所述第二膜片中形成若干相互隔开的第一通孔，所述第一通孔露出第二牺牲层，所述第二支撑部对应第一支撑部的位置，所述第二支撑部导电；

在形成所有第二牺牲层、第二膜片和第一通孔后，去除第一牺牲层和所有第二牺牲层；

提供第二晶圆，在所述第二晶圆背面形成有凹槽，所述凹槽的侧壁对应第二区的位置，所述凹槽对应第一区的位置，在所述凹槽的底面形成有若干相互隔开的声孔，所述声孔贯通第二晶圆正面；

在所述第二区位置，将所述凹槽的侧壁与第一晶圆正面键合在一起，所述凹槽底面与顶层第二膜片之间具有间隙。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述第一膜片、第二膜片的厚度范围为0.5μm～2μm。

3.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述第一膜片与相邻的第二膜片之间的间距、所有第二膜片中的相邻两膜片之间的间距、所述第一膜片与导电极板之间的间距、顶层第二膜片与导电极板之间的间距范围均为1μm～4μm。

4.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述凹槽底面与导电极板之间的间距范围为30μm～50μm。

5.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述第一支撑部的数量为多个，多个所述第一支撑部相互隔开；

使用各向同性干法刻蚀去除所述第一牺牲层和第二牺牲层，刻蚀气体通过所述第一通孔刻蚀第二牺牲层、通过相邻两第一支撑部之间的空隙刻蚀第一牺牲层；或者，

使用湿法刻蚀去除所述第一牺牲层和第二牺牲层，刻蚀剂通过所述第一通孔刻蚀第二牺牲层、通过相邻两第一支撑部之间的空隙刻蚀第一牺牲层。

6.如权利要求5所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，在形成所述第二牺牲层之前，在所述第一膜片中形成若干第二通孔，所述第二通孔露出第一牺牲层。

7.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述第一支撑部为环形；

在形成所述第二牺牲层之前，在所述第一膜片中形成若干第二通孔，所述第二通孔露出第一牺牲层；

使用各向同性干法刻蚀去除所述第一牺牲层和第二牺牲层，刻蚀气体通过所述第一通孔刻蚀第二牺牲层、通过所述第二通孔刻蚀第一牺牲层；或者，使用湿法刻蚀去除所述第一牺牲层和第二牺牲层，刻蚀剂通过所述第一通孔刻蚀第二牺牲层、通过所述第二通孔刻蚀第一牺牲层。

8.如权利要求6或7所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，每个第二膜片上所有第一通孔在第一晶圆正面的投影表面积之和，大于所有第二通孔在所述第一晶圆正面的投影表面积之和。

9.如权利要求6或7所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，在所述第一膜片和所有第二膜片中的相邻两膜片，顶层膜片上所有通孔在底层膜片表面上的投影与底层膜片上的通孔相互隔开。