[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包括：

基板，具有第一侧、第二侧及开口，所述开口从所述第一侧延伸至所述第二侧；以及

n个管芯的管芯堆叠，其中n≧1，所述管芯堆叠设置在所述开口中；

其中所述基板的厚度与所述管芯堆叠的厚度实质上相同。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述基板为晶片或平板。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述n个管芯的其中一者不同于其中另一者。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，还包括：

第一黏着隔离层，设置在所述基板的所述第一侧上及所述基板与所述管芯堆叠之间；以及

第二黏着隔离层，设置在所述基板的所述第二侧上。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述第一黏着隔离层及所述第二黏着隔离层包括光敏性黏着剂。

6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，还包括：

至少一第一电路层，设置在所述的基板所述第一侧上，所述至少一第一电路层包括多个接垫；以及

至少一第二电路层，设置在所述的基板所述第二侧上，所述至少一第二电路层包括多个接垫。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，还包括：

第一钝化层，设置在所述至少一第一电路层上，所述第一钝化层露出所述至少一第一电路层的所述接垫；以及

第二钝化层，设置在所述至少一第二电路层上，所述第二钝化层露出所述至少一第二电路层的所述接垫。

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，还包括：

管芯，设置在所述第一钝化层上，并电连接至所述至少一第一电路层的所述接垫。

9.一种半导体封装结构制造方法，包括：

将一基板贴附至一载板上，所述基板具有一第一侧、一第二侧及一开口，所述开口从所述第一侧延伸至所述第二侧；以及

将n个管芯的一管芯堆叠经由所述开口贴附至所述载板上，其中n≧1；

其中所述基板的厚度与所述管芯堆叠的厚度实质上相同。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构制造方法，其中所述基板为晶片或平板。

11.根据权利要求9所述的半导体封装结构制造方法，其中所述n个管芯的其中一者不同于其中另一者。

12.根据权利要求9所述的半导体封装结构制造方法，还包括：

形成一第一黏着隔离层于所述基板的所述第一侧上及所述基板与所述管芯堆叠之间；以及

移除所述载板。

13.根据权利要求12所述的半导体封装结构制造方法，还包括：

形成一第二黏着隔离层于所述基板的所述第二侧上。

14.根据权利要求13所述的半导体封装结构制造方法，其中所述第一黏着隔离层及所述第二黏着隔离层包括光敏性黏着剂。

15.根据权利要求13所述的半导体封装结构制造方法，还包括：

形成至少一第一电路层于所述基板的所述第一侧上，所述至少一第一电路层包括多个接垫；以及

形成至少一第二电路层于所述基板的所述第二侧上，所述至少一第二电路层包括多个接垫。

16.根据权利要求15所述的半导体封装结构制造方法，其中所述至少一第一电路层及所述至少一第二电路层是由半加成金属化制作工艺形成。

17.根据权利要求15所述的半导体封装结构制造方法，还包括：

形成一第一钝化层于所述至少一第一电路层上，所述第一钝化层露出所述至少一第一电路层的所述接垫；以及

形成一第二钝化层于所述至少一第二电路层上，所述第二钝化层露出所述至少一第二电路层的所述接垫。

18.根据权利要求17所述的半导体封装结构制造方法，还包括：

提供一管芯于所述第一钝化层上，并电连接提供于所述第一钝化层上的所述至所述至少一第一电路层的所述接垫。

19.根据权利要求18所述的半导体封装结构制造方法，其中提供于所述第一钝化层上的所述管芯是经由打线连接、球栅阵列连接或倒装连接电连接至所述至少一第一电路层的所述接垫。

20.根据权利要求12所述的半导体封装结构制造方法，还包括：

切割所述基板。