[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201410341647.0 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN105280575A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 郭建利 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体封装结构及其制造方法。特别是涉及一种减薄的半导体封装结构及其制造方法。
背景技术
在消费性电子产品如手机等等的发展过程中,总是追求着更佳的性能、更高的电源效率、更大的密度及更低的厚度。在这些目标中,厚度的降低会受到消费性电子产品中的电子零件的厚度所影响。举例来说,对于具有堆叠式封装(Package-On-Package,POP)结构的应用处理器或动态随机存取存储器来说,最低的厚度可能是两个堆叠的封装件的总厚度,其中每一个封装件的厚度往往是基板的厚度与形成于其上的管芯的厚度的总和。
发明内容
本发明的目的在于提供一种减薄的半导体封装结构及其制造方法。
根据一些实施例,所述半导体封装结构包括一基板及n个管芯的一管芯堆叠,其中n≧1。基板具有一第一侧、一第二侧及一开口,所述开口从第一侧延伸至第二侧。管芯堆叠设置在所述开口中。基板的厚度与管芯堆叠的厚度实质上相同。
根据一些实施例,所述半导体封装结构制造方法包括下列步骤。首先,将一基板贴附至一载板上。所述基板具有一第一侧、一第二侧及一开口,所述开口从第一侧延伸至第二侧。接着,将n个管芯的一管芯堆叠经由所述开口贴附至载板上,其中n≧1。基板的厚度与管芯堆叠的厚度实质上相同。
为了让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图,作详细说明如下:
附图说明
图1A~图9为根据一实施例的半导体封装结构制造方法的示意图。
其中,附图标记
100:半导体封装结构
102:基板
102a:第一侧
102b:第二侧
102o:开口
104:重布层
106:导孔
108:管芯堆叠
110:载板
112:黏着层
114:第一黏着隔离层
116:第二黏着隔离层
118、122:第一电路层
120、124:第二电路层
126:接垫
128:接垫
130:第一钝化层
132:第二钝化层
134:管芯
具体实施方式
以下将说明所述半导体封装结构及其制造方法。图1A~图9绘示根据一实施例的半导体封装结构制造方法。为了清楚起见,元件的一部分可能会从附图中省略。
请参照图1A及图1B,提供一基板102。图1A为基板102的俯视图,图1B为基板102取自图1A的剖面线B-B’的剖面。基板102具有一第一侧102a、一第二侧102b及一开口102o,开口102o从第一侧102a延伸至第二侧102b。基板102可为晶片或平板。在一些例子中,基板102包括硅或玻璃等等。基板102可包括重布层(redistributionlayer)104及连接重布层104的导孔(via)106。重布层104可由铜、或铝、或钨、或其组合所形成。
请参照图2,提供n个管芯的一管芯堆叠108,其中n≧1。在图2的例子中,绘示出由二个管芯构成管芯堆叠108。在其他例子中,管芯堆叠108可包括单一个管芯或多于二个管芯。管芯堆叠108的管芯可完全相同、部分相同或完全不同。在一些例子中,管芯堆叠108中的一或多个管芯包括直通硅穿孔(Through-SiliconVia,TSV)。
在此,可调整基板102的厚度或管芯堆叠108中的管芯的厚度,使得基板102的厚度与管芯堆叠108的厚度实质上相同。例如,可从管芯的背面(与集成电路及内连线所在的表面相对的表面)薄化管芯以调整管芯的厚度。
请参照图3,首先,将基板102贴附至一载板110上。接着,将管芯堆叠108经由基板102的开口102o贴附至载板110上。在一些例子中,可选择性地进行一对准步骤。基板102及管芯堆叠108可通过黏着层112暂时性地固定于载板110上。在此,基板102的厚度与管芯堆叠108的厚度实质上相同。
请参照图4,可形成一第一黏着隔离层114于基板102的第一侧102a上及基板102与管芯堆叠108之间。第一黏着隔离层114可包括光敏性黏着剂,例如苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)或聚苯恶唑(polybenzoxazole,PBO)等等。第一黏着隔离层114可提供在接下来的步骤中所形成的电路层(例如第一电路层118及122)电性隔离。可图案化第一黏着隔离层114。
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