[发明专利]一种柔性基板、柔性显示器及其制作方法在审
申请号: | 201410343417.8 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN105321875A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 高卓 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 显示器 及其 制作方法 | ||
1.一种柔性基板制作方法,其特征在于,包括步骤:
A、在载体基板上涂覆PI溶液;
B、将网状玻璃纤维分散在载体基板的PI溶液表面,其中网状玻璃纤维的一部分渗透进PI溶液,网状玻璃纤维的另一部分露出PI溶液表面,形成PI和网状玻璃纤维的复合结构;
C、对载体基板进行加热,然后降温至室温,使载体基板上的有机物交联固化形成包含网状玻璃纤维的PI薄膜;
D、在载体基板的PI薄膜上沉积有具有水氧阻隔作用的无机材料,形成分散镶嵌在网状玻璃纤维的网状结构中间的无机膜;
E、在载体基板上的无机膜和网状玻璃纤维表面制作一层有机材料形成平坦层制得柔性基板。
2.根据权利要求1所述的柔性基板制作方法,其特征在于,所述步骤C中,采用红外辐射加热方式进行加热,并且在进行加热时,采用阶梯式升温方式升温,然后缓慢降温至室温。
3.根据权利要求2所述的柔性基板制作方法,其特征在于,所述步骤C中,整个升温过程维持3h,整个降温过程维持1h。
4.根据权利要求1所述的柔性基板制作方法,其特征在于,所述步骤C之后、步骤D之前还包括:
S、用掩膜板将PI薄膜中间区域遮挡,对PI薄膜四周的边缘部分进行高能红外脉冲辐射处理。
5.根据权利要求4所述的柔性基板制作方法,其特征在于,所述步骤S中,将隔热隔红外的掩膜板将PI薄膜中间区域遮挡,高能红外脉冲辐射处理的处理时间维持10min。
6.根据权利要求1所述的柔性基板制作方法,其特征在于,所述步骤A中,在进行涂覆时,将刮刀改造成具有狭缝宽度0mm~1mm可调、且可盛放一定量溶液的涂覆设备,采用刮刀涂覆与狭缝涂覆结合的方式在载体基板上涂覆PI溶液。
7.根据权利要求1所述的柔性基板制作方法,其特征在于,所述步骤A之后、B之前还包括:涂覆完成后,将涂覆有PI溶液的载体基板在低真空条件下静置一段时间。
8.一种柔性显示器制作方法,其特征在于,包括步骤:
A、在载体基板上涂覆PI溶液;
B、将网状玻璃纤维分散在载体基板的PI溶液表面,其中网状玻璃纤维的一部分渗透进PI溶液,网状玻璃纤维的另一部分露出PI溶液表面,形成PI和网状玻璃纤维的复合结构;
C、对载体基板进行加热,然后降温至室温,使载体基板上的有机物交联固化形成包含网状玻璃纤维的PI薄膜;
D、在载体基板的PI薄膜上沉积有具有水氧阻隔作用的无机材料,形成分散镶嵌在网状玻璃纤维的网状结构中间的无机膜;
E、在载体基板上的无机膜和网状玻璃纤维表面制作一层有机材料形成平坦层制得柔性基板;
F、采用高温TFT工艺在柔性基板上制作AMOLED器件并进行器件封装,制作完成后,沿切割线将AMOLED器件从载体基板上剥离。
9.一种柔性基板,其特征在于,采用如权利要求1-7任一项所述的制作方法制成。
10.一种柔性显示器,其特征在于,采用如权利要求8所述的制作方法制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造