[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一发光元件，包含：

基板；

半导体叠层，其可发出一光线；

第一反射结构位于该基板与该半导体叠层之间，以反射该光线；以及

第二反射结构位于该基板与该半导体叠层之间，其中该光线自该半导体叠层于一第一入射角入射该第一反射结构时具有最大反射率，该光线自该半导体叠层于一第二入射角入射该第二反射结构时具有最大反射率，其中该第二角度大于该第一角度。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二反射结构位于该基板与该第一反射结构之间，该第二反射结构的材料包含Al_xGa_1-xAs，且0.8≦x≦1。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中该第二反射结构包含未氧化区和氧化区，包围该未氧化区；其中该未氧化区包含Al_xGa_1-xAs，该氧化区包含氧化铝。

4.如权利要求3所述的发光元件，其中该氧化区具有一临界角小于该第二角度，该第一角度小于该临界角。

5.如权利要求3所述的发光元件，还包含电流阻挡层及电极延伸区位于该半导体叠层上，其中该电流阻挡层的一位置大致对准该未氧化区，该电极延伸区的一位置大致对准该氧化区。

6.如权利要求5所述的发光元件，其中该电流阻挡层与该氧化区隔开一距离。

7.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一反射结构包含第一叠层对，由一具有第一折射率的第一层和一具有第二折射率的第二层所组成，该第二反射结构包含第二叠层对，由一具有第三折射率的第三层和一具有第四折射率的第四层所组成，该第一反射结构及该第二反射结构中的任一层的一厚度大约为该光线的一波长的四分之一的整数倍。

8.如权利要求7所述的发光元件，其中该第一反射结构包含第一对数的该第一叠层对，该第二反射结构包含一第二对数的该第二叠层对，其中该第一对数不同于该第二对数，或该第一叠层对的第一厚度不同于该第二叠层对的第二厚度。

9.如权利要求7所述的发光元件，其中该第一折射率和该第二折射率的差值介于0.4和1之间，该第三折射率和该第四折射率的差值介于0.4和1之间。

10.如权利要求7所述的发光元件，还包含第三反射结构，介于该第一反射结构及该第二反射结构之间，其中该光线于一第三角度入射该第三反射结构时具有最大反射率，其中该第三角度介于该第一角度及第二角度之间，其中该第三反射结构包含一第三叠层对，由一具有第五折射率的第五层和一具有第六折射率的第六层所组成，且该第三叠层对的第三厚度介于该第一厚度及该第二厚度之间。