[发明专利]发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件，且特别是涉及一种发光元件，其包含一反射结构以反射一光线，其中光线于一入射角入射反射结构时具有最大反射率。

背景技术

发光二极管(LightEmittingDiode,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低，产生的热能低，工作寿命长，防震，体积小，反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器，设备指示灯，及光电产品等。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一发光元件，包含：一基板；一半导体叠层，其可发出一光线；一第一反射结构位于基板与半导体叠层之间，以反射光线；以及一第二反射结构位于基板与半导体叠层之间，其中光线于一第一入射角入射第一反射结构时具有最大反射率，光线于一第二入射角入射第二反射结构时具有最大反射率，其中第二入射角大于第一入射角。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例中所揭示的发光元件的剖视图；

图2为本发明一实施例所揭示的发光元件的部分剖视图；

图3为本发明一实施例所揭示的发光元件的剖视图；

图4为本发明一实施例所揭示的发光元件的部分剖视图。

符号说明

1、2：发光元件

10：基板

12：半导体叠层

121：第一导电性半导体层

122：主动层

123：第二导电性半导体层

14：第一反射结构

14a：第一半导体层

14b：第二半导体层

16、28：第二反射结构

16a、28a：第三半导体层

16b、28b：第四半导体层

281：氧化区

282：未氧化区

18：第三反射结构

18a：第五半导体层

18b：第六半导体层

19、29：第二电极

291：打线电极

292：电流阻挡层

293：延伸电极

20：第一电极

具体实施方式

为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列实施例的描述并配合相关图示。但是，以下所示的实施例用于例示本发明的发光元件，并非将本发明限定于以下的实施例。又，本说明书记载于实施例中的构成零件的尺寸、材质、形状、相对配置等在没有限定的记载下，本发明的范围并非限定于此，而仅是单纯的说明而已。且各图示所示构件的大小或位置关系等，会由于为了明确说明有加以夸大的情形。更且，在以下的描述中，为了适切省略详细说明，对于同一或同性质的构件用同一名称、符号显示。

图1为本发明一实施例中所揭示的发光元件1的剖视图。发光元件1，例如发光二极管，包含：一基板10；以及一半导体叠层12位于基板10上，可发出一光线。一或多个反射结构，例如第一反射结构14，第二反射结构16或第三反射结构18，位于基板10与半导体叠层12之间，以反射来自半导体叠层12所发出的光线，其中多个反射结构反射大致相同波长的光线。光线于一第一入射角θ₁入射第一反射结构14时具有最大反射率，光线于一第二入射角θ₂入射第二反射结构16时具有最大反射率，其中第二入射角θ₂与第一入射角θ₁不同。具体而言，来自半导体叠层12所发出的光线于介于0～20度之间的第一入射角θ₁自半导体叠层12入射第一反射结构14时具有最大反射率，例如大于50％，较佳大于80％，更佳大于90％的反射率，但第一入射角θ₁的范围不以此为限制。来自半导体叠层12所发出的光线于介于20～60度之间的第二入射角θ₂自半导体叠层12入射第二反射结构16时具有最大反射率，例如大于50％，较佳大于80％，更佳大于90％的反射率，但第二入射角θ₂的范围不以此为限制。在本发明的一实施例中，第一入射角θ₁或第二入射角θ₂可为一角度或是一角度范围。