[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供衬底和在所述衬底上方形成有导电部件；

在所述导电部件上方形成低k介电层；

在所述低k介电层和所述导电部件之间形成蚀刻停止层；

蚀刻所述低k介电层和所述蚀刻停止层以形成与所述导电部件对准的接触沟槽，其中，所述导电部件的部分暴露于所述接触沟槽内；

对所述接触沟槽实施湿式清洗工艺以在所述蚀刻停止层的侧壁上产生-OH基团；以及

在暴露于所述接触沟槽的所述低k介电层和所述蚀刻停止层的侧壁上选择性地生长密封层，其中，所述密封层是形成在所述接触沟槽的侧壁上的单分子层，同时所述导电部件的所述部分暴露于所述接触沟槽内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用选自由原子层沉积和化学汽相沉积所组成的组的方法选择性地生长所述密封层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，将沉积压力控制在10托到60托的范围内。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积温度在200℃到450℃的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用含Si前体R-SiCl₃通过以下反应来选择性地生长所述密封层：

R-SiCl₃+Si-OH→Si-O-SiR+HCl，

其中，R是烷基链。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述含Si前体包括十八烷基三氯硅烷CH₃(CH₂)₁₇SiCl₃。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述含Si前体的流速在200sccm到2000sccm的范围内。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述密封层与所述接触沟槽的侧壁自对准，以及

其中，所述密封层包括：

亲水侧面，由所述含Si前体的亲水基团和所述接触沟槽的侧壁上的-OH基团之间的反应形成，所述亲水侧面与所述低k介电层直接接触，以及

疏水侧面，背对所述接触沟槽的侧壁。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成与所述密封层和所述接触沟槽的底部共形的势垒层。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供衬底和在所述衬底上方形成有导电部件；

在所述导电部件上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方形成低k介电层；

蚀刻所述低k介电层和所述蚀刻停止层以在所述低k介电层中形成与所述导电部件对准的接触沟槽，其中，所述导电部件的部分暴露于所述接触沟槽内；

对所述接触沟槽实施湿式清洗工艺以在所述蚀刻停止层的侧壁上产生-OH基团；以及

通过使用含Si前体在暴露于所述接触沟槽的所述低k介电层和所述蚀刻停止层的侧壁上形成含Si密封层，同时所述导电部件的所述部分暴露于所述接触沟槽内，

其中，所述密封层与所述接触沟槽的侧壁表面自对准且共形。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述含Si密封层由所述含Si前体与所述接触沟槽的侧壁表面上的-OH基团之间的反应形成，以及

其中，所述含Si密封层是自组装单分子层。