[发明专利]用于制作HVA像素电极的方法及阵列基板在审
申请号: | 201410344992.X | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN104076561A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 施明宏;姜佳丽 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 朱绘;张文娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制作 hva 像素 电极 方法 阵列 | ||
1.一种用于制作HVA像素电极的方法,其特征在于,包括以下步骤:
在一基底上沉积第一金属材料,并采用第一道光罩对所述第一金属材料进行蚀刻以图案化形成第一金属导电层;
在所述第一金属导电层上沉积第一绝缘材料和半导体材料,并采用第二道光罩对所述半导体材料进行蚀刻以图案化形成硅岛图案,裸露的第一绝缘材料和蚀刻后的半导体材料形成中间层;
在所述中间层上沉积第二金属材料,并采用第三道光罩对所述第二金属材料进行蚀刻以图案化形成第二金属导电层;
在图案化的第二金属导电层以及裸露的中间层上涂敷第二绝缘材料,并通过第四道光罩对所述第二绝缘材料进行蚀刻,以形成至少到达所述第二金属导电层的接触孔,其中,所述第四道光罩设计成还能蚀刻出具有三维结构的绝缘结构体;
在所述绝缘结构体表面以及裸露出的其它层上全面涂敷透明导电材料,并通过第五道光罩蚀刻以图案化形成透明导电层。
2.如权利要求1所述的用于制作HVA像素电极的方法,其特征在于,所述绝缘结构体为米字形结构。
3.如权利要求2所述的用于制作HVA像素电极的方法,其特征在于,所述米字形结构包括垂直相交的水平主干和竖直主干,以及分别从水平主干和竖直主干向两侧以一定夹角延伸出的若干分支,各个分支部分和主干部分具有凸条形状,在分支之间具有凹槽形状。
4.如权利要求3所述的用于制作HVA像素电极的方法,其特征在于,所述第四道光罩上的透光区域对应形成阵列基板上的绝缘结构体的凹槽。
5.如权利要求4所述的用于制作HVA像素电极的方法,其特征在于,经所述第五道光罩蚀刻后形成的透明导电层覆盖于所述凸条的表面和所述的凹槽表面形成像素电极。
6.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具有按权利要求1-5中任一项所述的方法制作的像素电极,其中,所述阵列基板包括;
基底;
在基底上形成的多个像素单元,所述像素单元包括:
设置在开口区的像素电极,所述像素电极设置于绝缘结构体上,其中,所述绝缘结构体包括相间排列的凸条和凹槽。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘结构体为米字形结构。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述米字形结构包括垂直相交的水平主干和竖直主干,以及分别从中向两侧以一定夹角延伸出的若干分支,各个分支部分和主干部分具有所述凸条形状,在分支之间具有所述凹槽形状。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述凸条和所述凹槽的宽度设置为不等。
10.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述凸条和所述凹槽的宽度设置为相等。
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