[发明专利]用于制作HVA像素电极的方法及阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地说，涉及一种用于制作HVA(High Vertical Alignment，高垂直排列)像素电极的方法及阵列基板。

背景技术

一般而言，HVA像素电极具有Fine Slit(改进的狭缝)结构样式。Fine Slit结构在狭缝部分不设置像素电极。因此狭缝部分对电场的控制力较差，进而对液晶分子的控制力较差。在显示的时候，该狭缝部分对应的区域会出现暗纹。这在一定程度上损失了液晶的透光效率，进而损失了液晶面板的穿透率。

基于上述情况，亟需一种能够提高液晶面板穿透率的HVA像素电极的制作方法及对应的阵列基板。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种能够提高液晶面板穿透率的HVA像素电极的制作方法及对应的阵列基板。

根据本发明的一个方面，提供了一种用于制作HVA像素电极的方法，其包括以下步骤：

在一基底上沉积第一金属材料，并采用第一道光罩对所述第一金属材料进行蚀刻以图案化形成第一金属导电层；

在所述第一金属导电层上沉积第一绝缘材料和半导体材料，并采用第二道光罩对所述半导体材料进行蚀刻以图案化形成硅岛图案，裸露的第一绝缘材料和蚀刻后的半导体材料形成中间层；

在所述中间层上沉积第二金属材料，并采用第三道光罩对所述第二金属材料进行蚀刻以图案化形成第二金属导电层；

在图案化的第二金属导电层以及裸露的中间层上涂敷第二绝缘材料，并通过第四道光罩对所述第二绝缘材料进行蚀刻，以形成至少到达所述第二金属导电层的接触孔，其中，所述第四道光罩设计成还能蚀刻出具有三维结构的绝缘结构体；

在所述绝缘结构体表面以及裸露出的其它层上全面涂敷透明导电材料，并通过第五道光罩蚀刻形成透明导电层。

根据本发明的一个实施例，所述绝缘结构体为米字形结构。

根据本发明的一个实施例，所述米字形结构包括垂直相交的水平主干和竖直主干，以及分别从水平主干和竖直主干向两侧以一定夹角延伸出的若干分支，各个分支部分和主干部分具有凸条形状，在分支之间具有凹槽形状。

根据本发明的一个实施例，所述第四道光罩上的透光区域对应形成阵列基板上的绝缘结构体的凹槽。

根据本发明的一个实施例，经所述第五道光罩蚀刻后形成的透明导电层覆盖于所述凸条的表面和所述的凹槽表面形成像素电极。

根据本发明的另一方面，还提供了一种具有以上方法制作的像素电极的阵列基板，其包括；

基底；

在基底上形成的多个像素单元，所述像素单元包括：

设置在开口区的像素电极，所述像素电极设置于绝缘结构体上，其中，所述绝缘结构体包括相间排列的凸条和凹槽。

根据本发明的一个实施例，所述所述绝缘结构体为米字形结构。

根据本发明的一个实施例，所述米字形结构包括垂直相交的水平主干和竖直主干，以及分别从中向两侧以一定夹角延伸出的若干分支，各个分支部分和主干部分具有所述凸条形状，在分支之间具有所述凹槽形状。

根据本发明的一个实施例，所述凸条和所述凹槽的宽度设置为相等。

根据本发明的一个实施例，所述凸条和所述凹槽的宽度设置为不等，其中，相邻凸条的宽度相等，相邻凹槽的宽度相等。

本发明带来了以下有益效果：

在本发明所述的方法中，将蚀刻接触孔与蚀刻形成绝缘结构体的步骤合并为一个步骤进行，节省了一道光罩过程，节约了成本，缩短了阵列基板的制作时间，提高了产能。同时将像素电极全面覆盖于开口区中，提高了像素电极对液晶分子的控制力，提高了液晶面板的穿透率。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1为现有的Fine Slit形式的HVA像素电极平面示意图；

图2为图1的A-A方向剖面示意图；

图3为本发明的一个实施例的方法步骤图；

图4为具有按本发明所述方法制成的像素电极的阵列基板的一个实施例的平面示意图；

图5是图4的B-B方向剖面示意图；